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TK72A12N1,S4X(S

更新时间: 2024-01-16 18:42:40
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东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
9页 233K
描述
TK72A12N1,S4X(S

TK72A12N1,S4X(S 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:2.31配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):100 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):45 W
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
Base Number Matches:1

TK72A12N1,S4X(S 数据手册

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TK72A12N1  
8. Characteristics Curves (Note)  
Fig. 8.1 ID - VDS  
Fig. 8.2 ID - VDS  
Fig. 8.3 ID - VGS  
Fig. 8.4 VDS - VGS  
Fig. 8.5 RDS(ON) - ID  
Fig. 8.6 RDS(ON) - Ta  
2014-02-14  
Rev.2.0  
5

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