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Datasheet > TG5032CDN50.0000M-CAANFAB
TG5032CDN50.0000M-CAANFAB PDF预览

TG5032CDN50.0000M-CAANFAB

更新时间： 2024-01-22 23:54:34
品牌 Logo 应用领域
精工 - SEIKO 机械振荡器
页数 文件大小 规格书
2页 569K
描述
CMOS Output Clock Oscillator,

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TG5032CDN50.0000M-CAANFAB 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LCC4,.12X.2,173/95Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.62老化：1 PPM/FIRST YEAR
最大控制电压：2.65 V最小控制电压：0.65 V
最长下降时间：8 ns频率调整-机械：NO
频率偏移/牵引率：10 ppm频率稳定性：0.1%
安装特点：SURFACE MOUNT端子数量：4
标称工作频率：50 MHz最高工作温度：70 °C
最低工作温度：振荡器类型：CMOS
输出负载：15 pF封装等效代码：LCC4,.12X.2,173/95
物理尺寸：5mm x 3.2mm x 1.45mm最长上升时间：8 ns
最大压摆率：8 mA最大供电电压：3.465 V
最小供电电压：3.135 V标称供电电压：3.3 V
表面贴装：YES最大对称度：55/45 %
Base Number Matches：1

TG5032CDN50.0000M-CAANFAB 数据手册

 浏览型号TG5032CDN50.0000M-CAANFAB的Datasheet PDF文件第2页 
Crystal oscillator  
Product Number (please contact us)  
TG5032CDN :X1G005061xxxx00  
TG5032SDN :X1G005071xxxx00  
TCXO / VC-TCXO  
ULTRA HIGH STABILITY  
TG5032CDN  
TG5032SDN  
•Frequency range  
•Supply voltage  
:
:
10 MHz to 50 MHz  
3.3 V Typ. / 5.0V Typ.  
•Frequency / temperature characteristics  
:
:
±0.1× 10-6 Max. *1  
Actual size  
•Frequency aging  
±0.02× 10-6 Max./24 hours *2  
•External dimensions: 5.0 × 3.2 × 1.45 mm (4 pads)  
•Applications  
•Features  
:
:
FemtoCell, Small Cells  
Ultra high stability  
Specifications (characteristics)  
TG5032CDN (CMOS output) TG5032SDN(Clipped sine wave)  
Item  
Symbol  
Conditions / Remarks  
Standard frequency  
VC-TCXO  
TCXO  
10 MHz to 50 MHz  
19.2, 26, 30.72, 40 MHz  
VC-TCXO  
TCXO  
Output frequency range  
f0  
Supply voltage  
VCC  
T_stg  
T_use  
f_tol  
C: 3.3 V ±5%, H: 5.0 V ±5% (Supply voltage range :2.7 V to 5.5 V)  
Storage temperature  
Operating temperature  
Frequency tolerance  
-40 ºC to +90 ºC  
A: 0 ºC to +70 ºC  
±2.0 × 10-6Max.  
Storage as single product  
Standard temp. range  
After reflow, +25 ºC  
C: 0 to +85 ºC or L: -10 to +70 ºC  
: Option1 or 2 (Temperature range)  
Option3  
A: ±0.1 ×10-6Max. / A: 0 to +70 ºC (standard spec.)  
H: ±0.25 ×10-6Max. / G: -40 to +85 ºC  
Frequency/temperature  
Characteristics *1  
±0.08 ×10-6Max. / +50 to +70 ºC, ±0.1 ×10-6Max. / +15 to +85 ºC Option4  
f0-TC  
and ±0.25 ×10-6Max. / -5 to +85 ºC  
±0.08 ×10-6Max. / +40 to +60 ºC, ±0.1 ×10-6Max. / 0 to +70 ºC  
and ±0.25 ×10-6Max. / -20 to +70 ºC  
±0.1 ×10-6 Max. (10 MHz≦f0≦40 MHz)  
±0.2 ×10-6 Max. (40 MHz＜f0≦50 MHz)  
±0.1 ×10-6 Max. (10 MHz≦f0≦40 MHz)  
±0.2 ×10-6 Max. (40 MHz＜f0≦50 MHz)  
±0.02 ×10-6 Max.  
(Please contact us about suffix)  
Option5  
(Please contact us about suffix)  
Frequency/load coefficient  
Frequency/voltage coefficient  
Frequency aging *2  
f0-Load  
f0-VCC  
f_age  
Load ±10 %  
VCC ±5%  
+25 °C, 24h  
+25 °C, First year  
±1.0 ×10-6 Max.  
5.0 mA Max. / 6.0 mA Max.  
6.0 mA Max. / 8.0 mA Max.  
8.0 mA Max. / 10.0 mA Max.  
10 MHz≦f0≦26 MHz (3.3V / 5.0V)  
26 MHz＜f0≦40 MHz (3.3V / 5.0V)  
40 MHz＜f0≦50 MHz (3.3V / 5.0V)  
VC- GND (DC)  
D :VC=1.5 V ± 1.0 V at VCC=3.3 V  
E: VC=1.65 V ± 1.0 V at VCC=3.3 V  
H: VC=2.5 V ± 2.0 V at VCC=5.0 V  
Current consumption  
Input resistance  
ICC  
Rin  
5.0 mA Max.  
100 kΩ Min.  
100 kΩ Min.  
―
―
―
―
―
―
±5 ×10-6 to  
±5 ×10-6 to  
Frequency control range  
f_cont  
±10 ×10-6  
±10 ×10-6  
Frequency change polarity  
Symmetry  
―
Positive polarity  
Positive polarity  
SYM  
VOH  
VOL  
45 % to 55 %  
―
―
―
GND level (DC cut)  
90 % VCC Min.  
10 % VCC Max.  
―
Output voltage  
Output level  
VPP  
0.8 V Min.  
Peak to Peak  
Start-up time  
Output load condition  
t_str  
Load  
5.0 ms Max.  
T=0 at 90% Vcc  
15 pF  
10 kΩ//10 pF  
* Note : Please contact us for requirements not listed in this specification. *1 Based on frequency at (fmax+fmin)/2. *2 After 48 hours operating  
Product Name  
(Standard form)  
TG5032 C DN 19.200000MHz  
C
A
A
N
D A  
①
②
③
④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨  
①Model ②Output (C: CMOS, S: Clipped sine wave) ③Frequency ④Supply voltage (C: 3.3 V Typ.)  
⑤Frequency / temperature characteristics (A: ±0.1 × 10-6 Max.) ⑥Operating temperature (A: 0 °C to +70 °C)  
⑦OE function (N: Non) ⑧VC function (A: VC =any, D: VC =1.5 V, E: VC =1.65 V, H: VC =2.5 V, N: Non)  
⑨Internal identification code (“A” is default)  
External dimensions  
(Unit :mm)  
Footprint (Recommended) (Unit :mm)  
#3  
#4  
1.10  
#3  
#4  
Marking  
#2  
#1  
0.30  
5.00±0.2  
Pin map  
Connection  
Pin  
#2  
#1  
0.75  
#2  
VC-TCXO  
VC  
TCXO  
N.C  
1
2
3
4
4.40  
#1  
#4  
GND  
OUT  
VCC  
To maintain stable operation, provide a 0.1 μF by-pass capacitor at  
a location as near as possible to the power source terminal of the  
crystal product (between VCC - GND).  
#3  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TG5032CDN50.0000M-CAANNAB SEIKO

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