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TD18F12KSB

更新时间: 2024-01-11 13:08:43
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描述
THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|POSITIVE|1.2KV V(RRM)|18A I(T)

TD18F12KSB 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:MODULE-5
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
Is Samacsys:N其他特性:FAST
外壳连接:ISOLATED标称电路换相断开时间:18 µs
配置:SINGLE WITH BUILT-IN FREE-WHEELING DIODE关态电压最小值的临界上升速率:1000 V/us
快速连接描述:G-GR螺丝端子的描述:2A-CK
JESD-30 代码:R-PUFM-X5通态非重复峰值电流:350 A
元件数量:1端子数量:5
最大通态电流:18000 A最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:40 A断态重复峰值电压:1200 V
重复峰值反向电压:1200 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

TD18F12KSB 数据手册

  
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