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STS5DNE30L资料手册解读:参数分析、特性与应用
STS5DNE30L是由STMicroelectronics生产的N沟道功率MOSFET,具备30V的漏源电压和低至0.039Ω的导通电阻。这款SO-8封装的器件专为自动化表面贴装设计,适用于多种高效率的功率转换应用。本...
- 2024-07-15
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STS5DNE30L是由STMicroelectronics生产的N沟道功率MOSFET,具备30V的漏源电压和低至0.039Ω的导通电阻。这款SO-8封装的器件专为自动化表面贴装设计,适用于多种高效率的功率转换应用。本...