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T178N16TOF

更新时间： 2024-01-10 15:59:43

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英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
10页	264K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 300A I(T)RMS, 190000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element

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T178N16TOF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.84	标称电路换相断开时间：	180 µs
配置：	SINGLE	关态电压最小值的临界上升速率：	1000 V/us
最大直流栅极触发电流：	150 mA	最大直流栅极触发电压：	2 V
最大维持电流：	200 mA	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
最大漏电流：	25 mA	通态非重复峰值电流：	30000 A
元件数量：	1	端子数量：	4
最大通态电流：	190000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	300 A
断态重复峰值电压：	1600 V	重复峰值反向电压：	1600 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

T178N16TOF 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T178N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

1200

1400

1600 V

1800 V

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

enndaten

^{repetitive peak forward off-state and re}E^verl^se^{e v}k^oltt^agr^ei^ssche Eigenschaften

1200

1400

1600 V

1800 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

T_vj= -40°C... T_{vj max}

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_DSM

non-repetitive peak forward off-state voltage

1300

1500

1700 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

V_RSM

1900 V

300 A

I_TRMSM

178 A

190 A

Dauergrenzstrom

T_C= 85 °C

T_C= 81 °C

I_TAVM

I_TSM

average on-state current

3000 A

2600 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

45 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

34 10³ A²s

DIN IEC 60747-6

150 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 0,75 A,

di_G/dt = 0,75 A/µs

critical rate of rise of on-state current

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

(dv_D/dt)_cr

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

max.

1,90 V

1,18 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 600 A

T_vj= T_{vj max}, i_T= 150 A

v_T

0,92 V

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

1,5 mΩ

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlaßkennlinie

on-state characteristic

40 A ≤ i_T≤ 900 A

6,846E-01

2,008E-03

1,048E-01

-2,637E-02

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

150 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

max.

2 V

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

0,25 V

Haltestrom

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 12V

200 mA

800 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

I_L

i_GM= 0,75 A, di_G/dt = 0,75 A/µs,

t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

25 mA

4,5 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

gate controlled delay time

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 0,75 A,

di_G/dt = 0,75 A/µs

H.Sandmann

date of publication: 2007-08-31

prepared by:

revision:

approved by: J.Przybilla

A 513 MT / 11.08.86, Bösterling

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