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T1052S11TCB

更新时间: 2023-08-15 00:00:00
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描述
Silicon Controlled Rectifier

T1052S11TCB 数据手册

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T 1052 S  
BildlFig. 16  
BildlFig. 18  
Rückstromspitze  
=
=
ZündverzuglGate controlled delay time  
=
=
=
recovery current  
=
0.5  
0.8  
Maximaler  
Characteristic  
Characteristic  
Parameter:  
current  
b
Typischer Verlauf/Typical  
17  
19  
innerer Wärmewiderstand  
= f(t), DC  
f(t), DC  
cooling  
Anodenseitige Kühlunglanode side cooling  
Kathodenseitige Kühlunglcathode side cooling  
Steuercharakteristik mit ZündbereichenlGate Characteristic with triggering  
12  
Transient thermal impedance  
V
1
2
3
Beidseitige  
Parameter:  
b
c
pulse  
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung/  
Max. aate dissioation  
10  
20  
1
40  
60  
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes  
Analytical elements of transieritt thermal impedance for  
für DC  
cooling Pos.  
1
2
3
4
5
6
7
0,015  
0,015  
0.015  
5,1  
0,004  
0.19  
44  
0.0013  
1.7  
10.2  
53.5  
Analytische  
Z
=
128  

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