Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
N
T 1049 N 12...18
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Vorläufige Daten
Preliminary Data
Charakteristische Werte / Characteristic values
Tvj = Tvj max, iTM=ITAVM
Freiwerdezeit
tq
vRM =100V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4. Kennbuchstabe / 4th letter O
circuit commutatet turn-off time
typ.
250
µs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
RthJC
beidseitig / two-sided, Q=180°sin
thermal resitance, junction to case
max. 0,0265 °C/W
max. 0,0240 °C/W
max. 0,0445 °C/W
max. 0,0420 °C/W
max. 0,0585 °C/W
max. 0,0560 °C/W
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, Q=180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, Q=180°sin
Kathode / cathode, DC
Übergangs- Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
RthCK
thermal resitance, case to heatsink
max. 0,0035 °C/W
max. 0,0070 °C/W
einseitig / single-sided
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
125
°C
°C
°C
Betriebstemperatur
-40...125
operating temperature
Lagertemperatur
-40...150
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
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case, see appendix
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Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellet with pressure contact, amplifying gate
Anpreßkraft
F
12 ...24
540
32
kN
g
clamping force
Gewicht
weight
G
typ.
Kriechstrecke
mm
creepage distance
Feuchteklasse
DIN 40040
f = 50Hz
C
humidity classification
Schwingfestigkeit
50
m/s²
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-AM / 99-09-22, K.-A.Rüther
A126/ 99
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