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T0160NA52A

更新时间： 2024-02-03 19:45:55

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	437K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 257A I(C), 5200V V(BR)CES, N-Channel, NA, 4 PIN

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技术参数
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T0160NA52A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	257 A
集电极-发射极最大电压：	5200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	O-CXDB-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	6000 ns	标称接通时间 (ton)：	3200 ns
Base Number Matches：	1

T0160NA52A 数据手册

WESTCODE ^AnIXYS Company

Insulated Gate Bi-polar Transistor Type T0160NA52A

Figure 6 – Typical turn-on delay time vs gate

resistance

Figure 5 – Typical turn-off gate charge

T0160NA52A

AD Issue 4

TT00116600NNAA5522AA

AADDIsIsssuuee44

V_CE=2600V

V_GE=±15V

T_j=125°C

V_CE=2600V

V_GE=±15V

T_j=125°C

I_C=160A

I_C=100A

Gate resistance - R_G(on)(Ω)

Gate resistance - R_G(off)(Ω)

Figure 7 – Typical turn-off delay time vs. gate Figure 8 – Typical turn-on energy vs. collector

resistance

current

500

T0160NA52A

AD Issue 4

T0160NA52A

AD Issue 4

R_G(on)=30Ω

V_GE=±15V

T_j=125°C

V_CE=2600V

V_GE=±15V

T_j=125°C

V_CE=2600V

V_CE=2000V

V_CE=1000V

400

300

200

100

I_C=160A

I_C=100A

100

150

200

Gate resistance - R_G(off)(Ω)

Collector current - I_C(A)

Provisional Data Sheet T0160NA52A Issue 4

Page 4 of 8

November, 2003

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