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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-3 |
| 包装说明： | METAL, TO-3, 2 PIN | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.7 |
| 应用： | POWER | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V |
| JEDEC-95代码： | TO-204AA | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 250 A |
| 元件数量： | 2 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 15 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 600 V |
| 最大反向恢复时间： | 5 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ST3060CE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 15A, 600V V(RRM), Silicon, TO-204AA, METAL, TO-3, 2 P |
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| ST3060D | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 15A, 600V V(RRM), Silicon, TO-204AA, METAL, TO-3, 2 P |
|
| ST3060DE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 15A, 600V V(RRM), Silicon, TO-204AA, METAL, TO-3, 2 P |
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| ST-308 | KODENSHI |
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Photo Transistor, 960nm, 0.02A I(C), |
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| ST3080 | MICROSEMI |
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Silicon Dual Power Rectifier |
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| ST3080A | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 15A, 800V V(RRM), Silicon, TO-204AA, METAL, TO-3, 2 P |
|
| ST3080C | MICROSEMI |
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暂无描述 |
|
| ST3080D | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 15A, 800V V(RRM), Silicon, TO-204AA, METAL, TO-3, 2 P |
|
| ST3080DE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 15A, 800V V(RRM), Silicon, TO-204AA, METAL, TO-3, 2 P |
|
| ST309 | KODENSHI |
获取价格 |
PHOTO TRANSISTORS |
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