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ST1900C45R0L

更新时间： 2024-01-09 02:33:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 栅栅极
页数 文件大小 规格书
6页 70K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 3500A I(T)RMS, 1600000mA I(T), 4500V V(DRM), 4500V V(RRM), 1 Element, RPUK-2

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ST1900C45R0L 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred包装说明：DISK BUTTON, O-CEDB-N2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.77
标称电路换相断开时间：500 µs配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：400 mA最大直流栅极触发电压：4 V
JESD-30 代码：O-CEDB-N2JESD-609代码：e0
最大漏电流：250 mA通态非重复峰值电流：28000 A
元件数量：1端子数量：2
最大通态电流：1600000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：3500 A重复峰值关态漏电流最大值：250000 µA
断态重复峰值电压：4500 V重复峰值反向电压：4500 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：NO LEAD
端子位置：END处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

ST1900C45R0L 数据手册

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ST1900C..R Series  
Bulletin I25197 rev. B 02/00  
130  
120  
110  
100  
90  
130  
120  
110  
100  
90  
ST1900C..R Series  
(Double Side Cooled)  
ST1900C..R Series  
(Single Side Cooled)  
R
thJ-hs  
(DC) = 0.0115 K/W  
R
(DC) = 0.023 K/W  
thJ-hs  
Conduction Angle  
80  
80  
Conduction Angle  
70  
70  
60˚  
60  
60  
120˚  
60˚  
50  
180˚  
50  
120˚  
40  
40  
180˚  
30  
30  
DC  
DC  
20  
20  
0
1000  
2000  
3000  
4000  
0
500 1000 1500 2000 2500  
AverageOn-stateCurrent(A)  
Average On-state Current (A)  
Fig. 1 - Current Ratings Characteristics  
Fig. 2 - Current Ratings Characteristics  
9000  
8000  
7000  
6000  
5000  
4000  
3000  
2000  
1000  
0
10000  
1000  
100  
DC  
180˚  
120˚  
60˚  
RMS Limit  
T = 125˚C  
J
Conduction Angle  
ST1900C..R Series  
ST1900C..R Series  
T
= 125˚C  
J
1
1.5  
2
2.5  
3
3.5  
4
4.5  
0
1000  
2000  
3000  
4000  
Average On-state Current (A)  
Average On-state Current (A)  
Fig. 4- On-state Power Loss Characteristics  
Fig. 3- On-state Power Loss Characteristics  
26000  
24000  
22000  
20000  
18000  
16000  
14000  
12000  
10000  
8000  
60  
55  
50  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
At Any Rated Load Condition And With  
Maximum Non Repetitive Surge Current  
Versus Pulse Train Duration. Control  
Of Conduction May Not Be Maintained.  
50% Rated V  
Applied Following Surge  
RRM  
Initial T = 125˚C  
J
Initial T = 125˚C  
@ 60 Hz 0.0083 s  
@ 50 Hz 0.0100 s  
J
50% Rated V  
Reapplied  
RRM  
ST1900C..R Series  
ST1900C..R Series  
1
10  
100  
1
10  
Number Of Equal Amplitude Half Cycle Current Pulses (N)  
Pulse Train Duration (s)  
Fig.5 - Maximum Non-Repetitive Surge Current  
Single and Double Side Cooled  
Fig. 6 - Maximum Non-Repetitive Surge Current  
Single and Double Side Cooled  
5
www.irf.com  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ST1900C45R0LPBF VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 3500A I(T)RMS, 4500V V(DRM), 4500V V(RRM), 1 Element, RPUK-2
ST1900C45R1 VISHAY

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 1600000mA I(T), 4500V V(DRM)
ST1900C45R1L VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1600000mA I(T), 4500V V(DRM)
ST1900C45R1PBF VISHAY

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 3500A I(T)RMS, 4500V V(DRM), 4500V V(RRM), 1 Element, RPUK-2
ST1900C45R2 VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 3500A I(T)RMS, 1600000mA I(T), 4500V V(DRM), 4500V V(RRM), 1
ST1900C45R3 VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1600000mA I(T), 4500V V(DRM)
ST1900C45R3LPBF VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 3500A I(T)RMS, 4500V V(DRM), 4500V V(RRM), 1 Element, RPUK-2
ST1900C45R3PBF VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 3500A I(T)RMS, 4500V V(DRM), 4500V V(RRM), 1 Element, RPUK-2
ST1900C46R0 INFINEON

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