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ST083S04PFM0LPBF

更新时间： 2024-02-06 11:08:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅栅极
页数 文件大小 规格书
9页 126K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-209AC

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ST083S04PFM0LPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.28其他特性：HIGH SPEED
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：200 mA
JEDEC-95代码：TO-209ACJESD-30 代码：O-MUPM-H3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：135 A
断态重复峰值电压：400 V重复峰值反向电压：400 V
表面贴装：NO端子形式：HIGH CURRENT CABLE
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCR

ST083S04PFM0LPBF 数据手册

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ST083S Series  
Bulletin I25185 rev. B 03/94  
On-state Conduction  
Parameter  
ST083S  
2.15  
Units Conditions  
VTM  
Max. peak on-state voltage  
ITM= 300A, TJ = TJ max, t = 10ms sine wave pulse  
p
VT(TO)1 Low level value of threshold  
voltage  
1.46  
(16.7% x π x IT(AV) < I < π x IT(AV)), TJ = TJ max.  
V
VT(TO)2 High level value of threshold  
voltage  
1.52  
2.32  
2.34  
(I > π x IT(AV)), TJ = TJ max.  
r
Low level value of forward  
slope resistance  
1
t
(16.7% x π x IT(AV) < I < π x IT(AV)), TJ = TJ max.  
(I > π x IT(AV)), TJ = TJ max.  
mΩ  
r
High level value of forward  
slope resistance  
t2  
IH  
IL  
Maximum holding current  
600  
TJ = 25°C, IT > 30A  
mA  
Typical latching current  
1000  
TJ = 25°C, VA= 12V, Ra = 6Ω, IG= 1A  
Switching  
Parameter  
ST083S  
1000  
Units Conditions  
di/dt  
Max. non-repetitive rate of rise  
of turned-on current  
TJ = TJ max, VDRM = rated VDRM  
A/µs  
ITM = 2 x di/dt  
TJ= 25°C, VDM = rated VDRM, ITM = 50A DC, t = 1µs  
p
t
Typical delay time  
0.80  
d
Resistive load, Gate pulse: 10V, 5Ω source  
µs  
TJ = TJ max, ITM = 100A, commutating di/dt = 10A/µs  
Min Max  
t
Max. turn-off time (*)  
10  
30  
VR = 50V, t = 200µs, dv/dt: see table in device code  
p
q
(*) t = 10 to 20µs for 400 to 800V devices; t = 15 to 30µs for 1000 to 1200V devices.  
q
q
Blocking  
Parameter  
ST083S  
500  
Units Conditions  
dv/dt Maximum critical rate of rise of  
off-state voltage  
TJ = TJ max., linear to 80% VDRM, higher value  
V/µs  
available on request  
IRRM  
IDRM  
Max. peak reverse and off-state  
leakage current  
30  
mA  
TJ = TJ max, rated VDRM/VRRM applied  
Triggering  
Parameter  
Maximum peak gate power  
PG(AV) Maximum average gate power  
IGM Max. peak positive gate current  
ST083S  
Units Conditions  
PGM  
40  
5
W
A
TJ = TJ max, f = 50Hz, d% = 50  
5
TJ = TJ max, t ≤ 5ms  
p
+VGM Maximum peak positive  
gate voltage  
20  
5
V
TJ = TJ max, t ≤ 5ms  
p
-VGM Maximum peak negative  
gate voltage  
IGT  
Max. DC gate current required  
to trigger  
200  
3
mA  
V
TJ = 25°C, VA = 12V, Ra = 6Ω  
VGT  
Max. DC gate voltage required  
to trigger  
IGD  
Max. DC gate current not to trigger  
20  
mA  
V
TJ = TJ max, rated VDRM applied  
VGD  
Max. DC gate voltage not to trigger  
0.25  
3
www.irf.com  
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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