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ST083S04PFK1LPBF

更新时间： 2023-01-03 07:09:08
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅栅极
页数 文件大小 规格书
9页 126K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-209AC

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ST083S04PFK1LPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.59其他特性：HIGH SPEED
标称电路换相断开时间：20 µs配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：200 mA最大直流栅极触发电压：3 V
最大维持电流：600 mAJEDEC-95代码：TO-209AC
JESD-30 代码：O-MUPM-H3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：135 A重复峰值关态漏电流最大值：30000 µA
断态重复峰值电压：400 V重复峰值反向电压：400 V
表面贴装：NO端子形式：HIGH CURRENT CABLE
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：40
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

ST083S04PFK1LPBF 数据手册

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ST083S Series  
Bulletin I25185 rev. B 03/94  
2200  
2000  
1800  
1600  
1400  
1200  
1000  
2600  
2400  
2200  
2000  
1800  
1600  
1400  
1200  
1000  
At Any Ra te d Lo a d C o nd itio n And With  
Ra te d V Ap p lie d Fo llo win g Surg e .  
Ma xim um No n Re p e titive Surg e Curre nt  
Ve rsus Pulse Tra in Dura tion . C ontro l  
O f Co nd uc tion Ma y Not Be Ma inta ine d .  
RRM  
Initia l T = 125°C  
J
@ 60 Hz 0.0083 s  
@ 50 Hz 0.0100 s  
Initia l T = 125°C  
J
No Vo lta g e Re a p p lie d  
Ra te d V  
Re a p p lie d  
RRM  
ST083S Se rie s  
ST083S Se rie s  
0.01  
0.1  
1
1
10  
100  
Numb e r O f Eq u a l Amp litud e Ha lf C yc le Cu rre nt Pulse s (N)  
Pulse Tra in Dura tio n (s)  
Fig. 5 - Maximum Non-repetitive Surge Current  
Fig. 6 - Maximum Non-repetitive Surge Current  
10000  
1
Ste a d y Sta te Va lue  
R
= 0.195 K/W  
thJ C  
(DC O p e ra tion )  
T = 25°C  
J
0.1  
1000  
T = 125°C  
J
ST083S Se rie s  
ST083S Se rie s  
0.01  
100  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
1
1.5  
2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5  
Sq ua re Wa ve Pulse Dura tio n (s)  
Insta n ta n e ous O n-sta te Vo lta g e (V)  
Fig. 8 - Thermal Impedance ZthJC Characteristic  
Fig. 7 - On-state Voltage Drop Characteristics  
160  
140  
120  
100  
80  
120  
110  
100  
90  
I
= 500 A  
TM  
I
= 500 A  
TM  
ST083S Se rie s  
T = 125 °C  
300 A  
200 A  
100 A  
J
300 A  
200 A  
80  
70  
50 A  
100 A  
60  
50  
60  
40  
50 A  
ST083S Se rie s  
30  
T = 125 °C  
40  
J
20  
20  
10  
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100  
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100  
Ra te O f Fa ll O f On-sta te Curre nt - d i/ d t (A/ µs)  
Ra te Of Fa ll Of Forwa rd C urre n t - d i/d t (A/ µs)  
Fig. 9 - Reverse Recovered Charge Characteristics  
Fig. 10 - Reverse Recovery Current Characteristics  
7
www.irf.com  
1...456789

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与ST083S04PFK1LPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ST083S04PFK2 VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 85000mA I(T), 400V V(DRM)
ST083S04PFK2L VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 85000mA I(T), 400V V(DRM)
ST083S04PFK2PBF VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-209AC,
ST083S04PFL0L INFINEON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-209AC
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 		Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-209AC
ST083S04PFL1PBF INFINEON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-209AC
ST083S04PFL2L INFINEON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-208AD
ST083S04PFL2LPBF INFINEON

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ST083S04PFM0 INFINEON

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