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SSM2164S

更新时间： 2024-02-05 09:05:18
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亚德诺 - ADI 放大器
页数 文件大小 规格书
12页 333K
描述
Low Cost Quad Voltage Controlled Amplifier

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SSM2164S 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：LEAD FREE, SOIC-16针数：16
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.31.00.01风险等级：5.8
信道分离：110 dB商用集成电路类型：VOLUME CONTROL CIRCUIT
谐波失真：0.3%JESD-30 代码：R-PDSO-G16
JESD-609代码：e3长度：9.9 mm
湿度敏感等级：1信道数量：4
功能数量：1端子数量：16
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.75 mm最大压摆率：8 mA
最大供电电压 (Vsup)：18 V最小供电电压 (Vsup)：4 V
表面贴装：YES温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

SSM2164S 数据手册

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SSM2164  
1000  
100  
10  
V
T
= ±15V  
= +25°C  
S
A
V
V
A
= ±15V  
= 0dBu  
= 0dB  
S
0.030  
0.025  
0.020  
IN  
V
0.015  
0.010  
1k  
10k  
100k  
1M  
–40  
–20  
0
20  
40  
60  
80  
R
– Ω  
BIAS  
TEMPERATURE – °C  
Figure 8. THD vs. Temperature, Class A  
Figure 11. Voltage Noise Density vs. RBIAS  
1.0  
V
T
= ±15V  
= +25°C  
S
A
V
V
A
= ±15V  
= 0dBu  
= 0dB  
S
0.30  
0.25  
0.20  
IN  
V
0.1  
0.15  
0.10  
0.01  
–40  
–20  
0
20  
40  
60  
80  
1k  
10k  
100k  
1M  
R
– Ω  
BIAS  
TEMPERATURE – °C  
Figure 9. THD vs. Temperature, Class AB  
Figure 12. THD vs. RBIAS  
500  
400  
10  
5
V
= ±15V  
S
V
T
= ±15V  
= +25°C  
S
A
R
T
= R = 30kΩ  
IN  
F
= +25°C  
A
0
300  
200  
100  
0
–5  
–10  
–15  
–20  
1k  
10k  
100k  
1M  
1
10  
100  
1k  
10k  
100k  
R
– Ω  
BIAS  
FREQUENCY – Hz  
Figure 10. Voltage Noise Density vs. Frequency, Class AB  
Figure 13. Control Feedthrough vs. RBIAS  
REV. 0  
–5–  
12345678...12

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