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SMP100-65

更新时间: 2024-02-27 18:25:44
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 触发装置硅浪涌保护器光电二极管通信设备数据判读及分析中心
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9页 83K
描述
COMMUNICATION EQUIPMENT PROTECTION: TRISIL TM

SMP100-65 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-214AA包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-C2
针数:2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.77最大转折电压:95 V
配置:SINGLE最大断态直流电压:55 V
最大维持电流:170 mAJEDEC-95代码:DO-214AA
JESD-30 代码:R-PDSO-C2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1通态非重复峰值电流:60 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
重复峰值反向电压:55 V子类别:DIACs
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SILICON SURGE PROTECTOR
Base Number Matches:1

SMP100-65 数据手册

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SMP100-xxx  
TEST CIRCUIT 2 for IH parameter.  
R
- V  
P
D.U.T.  
V
= - 48 V  
BAT  
Surge generator  
This is a GO-NO GO test which allows to confirm the holding current (IH) level in a functionaltest circuit.  
TEST PROCEDURE :  
- Adjust the current level at the IH value by short circuiting the D.U.T.  
- Firethe D.U.T. with a surge current : Ipp = 10A, 10/1000 µs.  
- The D.U.T. will come back to the off-statewithin 50 ms max.  
TEST CIRCUITS 3 FOR VBO DYNAMIC PARAMETERS  
100 V / µs, di/dt < 10 A / µs, Ipp = 100 A  
2 Ω  
45 Ω  
83 Ω  
46 µH  
0.36 nF  
10 µF  
U
66 Ω  
470 Ω  
KeyTekSystem 2’ generator with PN246I module  
1 kV / µs, di/dt < 10 A / µs, Ipp = 10 A  
46 µH  
26 µH  
60 µF  
250 Ω  
47 Ω  
U
12 Ω  
KeyTek ’System 2’ generator with PN246I module  
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