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SMP100-200H225

更新时间： 2024-01-17 05:29:37

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		通信设备
页数	文件大小	规格书
9页	83K
描述
COMMUNICATION EQUIPMENT PROTECTION: TRISIL TM

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SMP100-200H225 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-214AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.26	最大转折电压：	265 V
配置：	SINGLE	最大维持电流：	225 mA
JEDEC-95代码：	DO-214AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
通态非重复峰值电流：	60 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	重复峰值反向电压：	170 V
子类别：	DIACs	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SILICON SURGE PROTECTOR	Base Number Matches：	1

SMP100-200H225 数据手册

SMP100-xxx

DYNAMIC PARAMETERS

Symbol

Test conditions (see note 5)

Type

Max.

Unit

SMP100-8

SMP100LC-35

SMP100-65

SMP100-120

200

220

285

320

370

220

285

320

370

SMP100-140

Test conditions 1

dV/dt = 100 V/µs, di/dt < 10 A/µs, I_PP= 100 A

SMP100-200

V_BO

SMP100-230

Test conditions 2

dV/dt = 1 kV/µs, di/dt < 10 A/µs, I_PP= 10 A

SMP100-270

SMP100-140H225

SMP100-200H225

SMP100-230H225

SMP100-270H225

Note 5 : V parameters are given by a KeyTek ’System 2’ generator with PN246I module.

See test circuits 3 forV

dynamic parameters.

TEST CIRCUIT 1 FOR I_BOand V_BOparameters:

= 20ms

Auto

Transformer

220V/2A

static

relay.

140

240

measure

out

D.U.T

measure

Transformer

220V/800V

TEST PROCEDURE :

Pulse Test duration (tp = 20ms):

- For Bidirectional devices = Switch K is closed

- For Unidirectionaldevices = Switch K is open.

_OUTSelection

- Device with V_BO200 Volt

- V_OUT= 250 V_RMS, R₁= 140

- Device with V_BO≥ 200 Volt

- V_OUT= 480V_RMS, R₂= 240 Ω.

Ω

4/9

1 2 345 6 7...9

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