SMBG45A

更新时间： 2024-01-02 05:50:36

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美高森美 - MICROSEMI		瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	143K
描述
UNI- AMD BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT

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SMBG45A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-215AA
包装说明：	R-PDSO-G2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	最大击穿电压：	55.3 V
最小击穿电压：	50 V	击穿电压标称值：	52.7 V
最大钳位电压：	72.7 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-215AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1.38 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	45 V
最大反向电流：	5 µA	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMBG45A/51	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 45V V(RWM), Unidirectional,
SMBG45A/52	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 45V V(RWM), Unidirectional,
SMBG45A/5B-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA, PLASTIC, SMBG, 2 PIN, Transient
SMBG45A/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 45V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBG45A/TR13	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 45V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBG45A/TR7	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 45V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
SMBG45A-52	VISHAY	获取价格	600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA, PLASTIC, SMBG, 2 PIN
SMBG45A-5B	VISHAY	获取价格	600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA, PLASTIC, SMBG, 2 PIN
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SMBG45A-E3/51	VISHAY	获取价格	DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA, PLASTIC, SMBG, 2 PIN, Transient