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SMAJ300A

更新时间： 2024-06-27 12:08:05

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SMAJ300A 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SMA
包装说明：	R-PDSO-C2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.78	其他特性：	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, PRSM-MIN
最大击穿电压：	368 V	最小击穿电压：	333 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散：	400 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大重复峰值反向电压：	300 V
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1	类别：	Diodes
Condition：	10×1000us	PPK (W)：	400
VRWM (V) max.：	300	VBR (V) min.：	333
VBR (V) max.：	368	IR (uA) max.：	1
VC (V) max.：	485	Condition1_IPP (A)：	0.8
C (pF) max.：	-	AEC Qualified：	-
最高工作温度：	150	最低工作温度：	-55
MSL等级：	-	生命周期：	Active
是否无铅：	Yes	符合Reach：	Yes
符合RoHS：	Yes	ECCN代码：	EAR99
Package Outlines：	SMA

SMAJ300A 数据手册

Package outline

Features

• 400W peak pulse power capability with a 10/1000 μs

waveform, repetition rate (duty cycle): 0.01%.

SMA/DO-214AC

• Low profile surface mounted application in order to

optimize board space.

• Excellent clamping capability.

• Low incremental surge resistance.

• Fast response time from 0V to VBR, typically less than

1 ps for uni-directional & 5 ns for bi-directional types.

0.118(3.00)

0.096(2.45)

0.067 (1.70)

0.051 (1.30)

• Glass passivated chip junction.

• Lead-free parts meet RoHS requirments.

0.177(4.50)

0.157(3.99)

Compliant to Halogen-free

•

0.012(0.305)

0.006(0.152)

0.096(2.42)

0.078(1.98)

Mechanical data

0.060(1.52)

0.030(0.76)

• Epoxy:UL94-V0 rated flame retardant

• Case : Molded plastic, DO-214AC / SMA

• Terminals : Solder plated, solderable per

0.008(0.203)MAX.

0.208(5.28)

0.188(4.80)

MIL-STD-750, Method 2026

• Polarity : Indicated by cathode band

Dimensions in inches and (millimeters)

• Mounting Position : Any

Maximum ratings ^{(AT T}_A⁼²⁵^o^{C unless otherwise noted)}

Value

400

UNIT

Symbol

P_PPM

PARAMETER

CONDITIONS

Peak Power Dissipation

with a 10/1000 μs waveform,

Note 1, 2 & Fig. 1

with a 10/1000 μs waveform

at T_L=75^OC, Note 2

I_PPM

See Table 1

1.0

Peak Pulse current

Steady State Power Dissipation

P_M(AV)

8.3ms Single Half Sine-Wave, Note 3

Peak Forward Surge Current

I_FSM

V_F

at 25A

For Uni-Directional Types Only, Note 4

Maximum Instantaneours Forward Voltage

3.5/6.5

^OC

Operating temperature range

Storage temperature range

T_J

-55 ~ +150

T_STG

Note 1. Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T_A=25^OC per Fig. 2

2. Mounted on copper pad area of 0.2"x0.2" (5.0x5.0 mm) per Fig 5

3. Measured on 8.3 ms single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle=4 pulses per minute maximum

4. V_F< 3.5V for V_BR< 200V and V_F< 6.5V for V_BR>201V.

http://www.anbonsemi.com

TEL:+86-755-23776891

FAX:+86-755-81482182

Document ID

AS-3080002

Issued Date

2003/03/08

Revised Date

2023/10/12

Revision

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