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SM5908

更新时间： 2024-01-15 13:28:00
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 瞬态抑制器二极管PC局域网
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6页 74K
描述
TRANSILTM

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SM5908 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：DO-201包装说明：R-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
Factory Lead Time：43 weeks 2 days风险等级：1.73
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
2D Presentation：https://componentsearchengine.com/2D/0T/179879.1.2.pngSchematic Symbol：https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=179879
PCB Footprint：https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=1798793D View：https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=179879
Samacsys PartID：179879Samacsys Image：https://componentsearchengine.com/Images/9/SM5908.jpg
Samacsys Thumbnail Image：https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/SM5908.jpgSamacsys Pin Count：2
Samacsys Part Category：DiodeSamacsys Package Category：Diodes Moulded
Samacsys Footprint Name：SMC_1.6PinLengthSamacsys Released Date：2015-08-27 12:39:14
Is Samacsys：N其他特性：UL RECOGNIZED
最小击穿电压：6 V击穿电压标称值：6 V
外壳连接：ISOLATED最大钳位电压：8.5 V
配置：SINGLE最小二极管电容：9500 pF
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：DO-201JESD-30 代码：R-PALF-W2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值反向功率耗散：1500 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：5 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：5 V最大反向电流：300 µA
子类别：Transient Suppressors表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SM5908 数据手册

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1N5908  
SM5908  
TRANSILTM  
FEATURES  
UNIDIRECTIONAL TRANSIL DIODE  
PEAK PULSE POWER : 1500 W (10/1000µs)  
REVERSESTAND OFF VOLTAGE: 5 V  
LOW CLAMPINGFACTOR  
FAST RESPONSE TIME  
UL RECOGNIZED  
DESCRIPTION  
The 1N5908 and SM5908 are dedicatedto the 5 V  
logiccircuitprotection(TTL andCMOStechnologies).  
Their low clamping voltage at high current level  
guarantees excellent protection for sensitive  
components.  
CB429  
SMC  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb = 25°C).  
Symbol  
PPP  
Parameter  
Peakpulse power dissipation (see note1)  
Power dissipationon infinite heatsink  
Value  
Unit  
W
Tj initial = Tamb  
1500  
5
P
Tamb = 75°C  
W
IFSM  
Non repetitive surge peak forward current  
for unidirectionaltypes  
tp = 10ms  
Tj initial= Tamb  
200  
A
Tstg  
Tj  
Storage temperaturerange  
Maximum junction temperature  
- 65 to + 175  
175  
°C  
°C  
TL  
Maximum lead temperaturefor soldering  
during10s (at 5mm from case for CB429)  
CB429  
SMC  
230  
260  
°C  
°C  
Note 1 : For a surge greater than the maximum values, the diode will fail in short-circuit.  
THERMAL RESISTANCES  
Symbol  
Rth (j-l)  
Parameter  
Value  
20  
Unit  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Junction to leads  
Rth (j-a)  
Junction to ambient  
on printed circuit.  
CB429  
SMC  
75  
L lead = 10 mm  
75  
On recommended pad layout  
August 1999 Ed : 2A  
1/6  
123456

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SM5908-RL STMICROELECTRONICS 暂无描述

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