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SLN-186-TR3

更新时间： 2024-01-19 04:45:46

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STANFORD		放大器射频微波
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3页	96K
描述
DC-4.0 GHz, 3.5 Volt 50 Ohm LNA MMIC Amplifier

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SLN-186-TR3 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SL,4GW-LD,.085CIR
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	19 dB	最大输入功率 (CW)：	20 dBm
安装特点：	SURFACE MOUNT	端子数量：	4
最大工作频率：	4000 MHz	最小工作频率：
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-45 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	SL,4GW-LD,.085CIR
电源：	3.5 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	最大电压驻波比：	3
Base Number Matches：	1

SLN-186-TR3 数据手册

SLN-186 DC-4.0 GHz LNA MMIC Amplifier

Part Number Ordering Information

Absolute Maximum Ratings

Part Number

Devices Per Reel

Reel Size

A bsolute

Param eter

M axim um

SLN-186-TR1

1000

Device Current

Power Dissipation

50mA

440m W

SLN-186-TR2

SLN-186-TR3

3000

5000

13"

RF Input Power

100m W

Junction Temperature

Operating Temperature

Storage Tem perature

+200C

-45C to +85C

-65C to +150C

Recommended Bias Resistor Values

Notes:

1. Operation of this device above any one of

these parameters may cause permanent

damage.

Supply Voltage(Vs) 3.3V

7.5V

500

12V

15V

20V

Rbias (Ohms)

188

688 1063 1438 2063

967 1467 1967 2800

@ 8mA

Rbias (Ohms)

300

717

@ 6mA

Needs active biasing for constant current source

Device Pinout

Function

RF Input

Ground

RF Output

and Bias

Ground

Typical Biasing Configuration

Device Outline

522 Almanor Ave., Sunnyvale, CA 94086

Phone: (800) SMI-MMIC

http://www.stanfordmicro.com

4-11

1 23

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