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SG7N06DP

更新时间: 2022-04-06 15:31:33
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SIRECTIFIER 晶体双极型晶体管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 172K
描述
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBTs),IGBT分立器件Discrete IGBTs。

SG7N06DP 数据手册

 浏览型号SG7N06DP的Datasheet PDF文件第2页 
SG7N06P, SG7N06DP  
Discrete IGBTs  
Dimensions TO-220AB  
Dim.  
Inches  
Min. Max.  
Milimeter  
Min. Max.  
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
0.500 0.550  
0.580 0.630  
0.390 0.420  
0.139 0.161  
0.230 0.270  
0.100 0.125  
0.045 0.065  
0.110 0.230  
0.025 0.040  
12.70 13.97  
14.73 16.00  
9.91 10.66  
E
C
G
3.54  
5.85  
2.54  
1.15  
2.79  
0.64  
2.54  
4.32  
1.14  
0.35  
2.29  
4.08  
6.85  
3.18  
1.65  
5.84  
1.01  
BSC  
4.82  
1.39  
0.56  
2.79  
G=Gate, C=Collector, E=Emitter  
0.100  
BSC  
0.170 0.190  
0.045 0.055  
0.014 0.022  
0.090 0.110  
SG7N06DP  
Test Conditions  
SG7N06P  
Symbol  
Maximum Ratings  
Unit  
VCES  
VCGR  
TJ=25oC to 150oC  
600  
600  
V
TJ=25oC to 150oC; RGE=1 M ;  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
A
IC25  
IC90  
ICM  
TC=25oC  
14  
7
30  
TC=90oC  
TC=25oC, 1 ms  
VGE=15V; TVJ=125oC; RG=22  
ICM=14  
@ 0.8 VCES  
SSOA  
(RBSOA)  
A
Clamped inductive load, L=300uH  
PC  
TC=25oC  
54  
W
-55...+150  
150  
-55...+150  
TJ  
TJM  
Tstg  
oC  
oC  
Maximum lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10s  
300  
Md  
Mounting torque, (TO-220)  
M3  
M3.5  
0.45/4  
0.55/5  
Nm/Ib.in.  
g
Weight  
4
(T  
J
=25o  
C, unless otherwise specified)  
Characteristic Values  
Symbol  
Test Conditions  
Unit  
min.  
typ.  
max.  
BVCES  
I
I
C
=250uA; VGE=0V  
=250uA; VCE=VGE  
600  
2.5  
V
V
V
GE(th)  
C
5.5  
100  
500  
±100  
1.8  
I
CES  
V
V
V
CE=0.8VCES  
GE=0V;  
;
TJ  
J
=25o  
=125o  
C
uA  
T
C
I
GES  
CE=0V; VGE=±20V  
=IC90; VGE=15V  
nA  
V
V
CE(sat)  
I
C
1.5  

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