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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP8,.3 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.77 |
| 模拟集成电路 - 其他类型： | THREE TERMINAL VOLTAGE REFERENCE | JESD-30 代码： | R-CDIP-T8 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 10.415 mm |
| 功能数量： | 1 | 输出次数： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -25 °C | 最大输出电压： | 2.515 V |
| 最小输出电压： | 2.485 V | 标称输出电压： | 2.5 V |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP8,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 子类别： | Voltage References | 最大供电电压 (Vsup)： | 40 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | BIPOLAR |
| 最大电压温度系数： | 10 ppm/ °C | 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 微调/可调输出： | NO |
| 最大电压容差： | 0.6% | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SG2503DM | MICROSEMI |
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PRECISION 2.5-VOLT REFERENCE |
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| SG2503M | MICROSEMI |
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PRECISION 2.5-VOLT REFERENCE |
|
| SG2503T | MICROSEMI |
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PRECISION 2.5-VOLT REFERENCE |
|
| SG2503Y | MICROSEMI |
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PRECISION 2.5-VOLT REFERENCE |
|
| SG2524 | STMICROELECTRONICS |
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REGULATING PULSE WIDTH MODULATORS |
|
| SG2524 | TI |
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REGULATING PULSE-WIDTH MODULATORS |
|
| SG2524 | MICROSEMI |
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REGULATING PULSE WIDTH MODULATOR |
|
| SG2524 | MICROCHIP |
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This monolithic integrated circuit contains all the control circuitry for a regulating pow |
|
| SG2524_1 | TI |
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REGULATING PULSE-WIDTH MODULATORS |
|
| SG2524B | MICROSEMI |
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REGULATING PULSE WIDTH MODULATOR |
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