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SFF1004G PDF预览

SFF1004G

更新时间： 2024-01-22 23:47:17
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页数 文件大小 规格书
2页 641K
描述
10.0 Ampere Isolated Dual Doubler Tandem Super Fast Rectifiers

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SFF1004G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.67Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED应用：ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：125 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.035 µs表面贴装：NO
端子面层：TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SFF1004G 数据手册

 浏览型号SFF1004G的Datasheet PDF文件第2页 
SFF1001GD thru SFF1008GD  
SFF1001GD thru SFF1008GD  
Pb Free Plating Product  
10.0 Ampere Insulated Doubler Polarity Super Fast Recovery Rectifiers  
ITO-220AB  
Unit : inch (mm)  
Features  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Super fast switching for high efficiency  
.189(4.8)  
.165(4.2)  
.406(10.3)  
.381(9.7)  
.134(3.4)  
.118(3.0)  
Low forward voltage drop  
High current capability  
Low reverse leakage current  
High surge current capability  
.130(3.3)  
.114(2.9)  
Application  
Automotive Inverters and Solar Inverters  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Plating Power Supply,SMPS and UPS  
.114(2.9)  
.098(2.5)  
.071(1.8)  
.055(1.4)  
Car Audio Amplifiers and Sound Device Systems  
.055(1.4)  
.039(1.0)  
.035(0.9)  
.011(0.3)  
.032(.8)  
MAX  
Mechanical Data  
.1  
(2.55)  
.1  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Case: ITO-220AB full plastic isolated package  
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202  
method 208  
(2.55)  
Case  
Case  
Case  
Case  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Polarity: As marked on diode body  
Mounting position: Any  
Weight: 1.95 gram approximately  
Doubler  
Tandem Polarity Tandem Polarity  
Suffix "GD" Suffix "GS"  
Series  
Negative  
Common Cathode Common Anode  
Suffix "G" Suffix "GA"  
Positive  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise noted)  
SFF SFF SFF SFF SFF SFF  
SYMBOL 1001 1002 1003 1004 1005 1006 1007 1008 UNIT  
SFF  
SFF  
PARAMETER  
GD  
50  
GD  
100  
70  
GD  
150  
105  
150  
GD  
200  
140  
200  
GD  
300  
210  
300  
GD  
400  
280  
400  
GD  
500  
350  
500  
GD  
600  
420  
600  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
V
V
V
A
35  
Maximum DC blocking voltage  
50  
100  
Maximum average forward rectified current  
IF(AV)  
10  
Peak forward surge current, 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
IFSM  
VF  
IR  
125  
A
V
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)  
IF = 5A  
0.975  
1.3  
1.7  
TJ=25°C  
Maximum reverse current @ rated VR  
TJ=125°C  
10  
400  
35  
μA  
Maximum reverse recovery time (Note 2)  
Typical junction capacitance (Note 3)  
Typical thermal resistance  
trr  
CJ  
ns  
pF  
70  
50  
RθJC  
TJ  
8
°C/W  
°C  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
- 55 to +150  
- 55 to +150  
TSTG  
°C  
Note 1: Pulse Test with PW=300μs, 1% Duty Cycle  
Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A.  
Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V DC.  
Page 1/2  
http://www.thinkisemi.com.tw/  
Rev.08T  
© 1995 Thinki Semiconductor Co., Ltd.  
12

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