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SF2008G

更新时间： 2024-02-18 22:54:06

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THINKISEMI		局域网功效瞄准线二极管
页数	文件大小	规格书
2页	650K
描述
20.0 Ampere Dual Common Anode Super Fast Recovery Diodes

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SF2008G 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.35	Is Samacsys：	N
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	150 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	10 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向恢复时间：	0.035 µs
表面贴装：	NO	端子面层：	PURE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

SF2008G 数据手册

SF2001G thru SF2008G

Pb Free Plating Product

20.0 Ampere Dual Unipolar-Doubler Polarity Superfast Recovery Diode

Unit : inch (mm)

TO-220AB

Features

.419(10.66)

.387(9.85)

.196(5.00)

.163(4.16)

.139(3.55)

MIN

¬ Fast switching for high efficiency

¬ Low forward voltage drop

¬ High current capability

¬ Low reverse leakage current

¬ High surge current capability

.054(1.39)

.045(1.15)

Mechanical Data

.038(0.96)

.019(0.50)

.025(0.65)MAX

¬ Case: TO-220AB Heatsink

¬ Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant

¬ Terminals: Solderable per MIL-STD-202

method 208

.1(2.54)

¬ Polarity: As marked on body

¬ Mounting position: Any

¬ Weight: 2.24 gram approximately

Case

Doubler

Negative

Common Anode

Suffix "A"

Positive

Common Cathode

Series Connection

Suffix "D"

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25

C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

SF2001G

SF2002G SF2004G

SF2005G SF2006G SF2008G

Common Cathode

UNIT

SYMBOL

SF2001GA SF2002GA SF2004GA SF2005GA SF2006GA SF2008GA

SF2001GD SF2002GD SF2004GD SF2005GD SF2006GD SF2008GD

Common Anode Suffix"A"

Anode and Cathode Coexistence Suffix "D"

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

VRRM

VRMS

VDC

100

200

140

200

300

210

300

400

280

400

600

420

600

Maximum RMS Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

100

Maximum Average Forward Rectified

Current TC=125^oC

20.0

IF(AV)

Peak Forward Surge Current, 8.3ms single

Half sine-wave superimposed on rated load

(JEDEC method)

IFSM

200

175

Maximum Instantaneous Forward Voltage

@ 10.0 A

0.975

1.3

1.5

Maximum DC Reverse Current @TJ=25^oC

At Rated DC Blocking Voltage @TJ=125^oC

10.0

250

Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)

Typical junction Capacitance (Note 2)

Trr

^oC

120

Operating Junction and Storage

Temperature Range

-55 to +150

, TSTG

NOTES : (1) Reverse recovery test conditions I

= 0.5A, I

= 1.0A, Irr = 0.25A.

(2) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts DC.

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http://www.thinkisemi.com/

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SF2008GA	THINKISEMI	20.0 Ampere Dual Unipolar-Doubler Polarity Superfast Recovery Diode	获取价格
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SF2008PT	TSC	20.0 AMPS. Glass Passivated Super Fast Rectifiers	获取价格
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