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S8986

更新时间： 2022-04-23 23:00:11
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HAMAMATSU 传感器图像传感器
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7页 186K
描述
CCD area image sensor Front-illuminated FFT-CCDs for X-ray imaging

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S8986 数据手册

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CCD area image sensor S8986, S10128  
ꢀꢀAbsolute maximum ratings (Ta=25 °C)  
Parameter  
Storage temperature  
Operating temperature  
OD voltage  
RD voltage  
SG voltage  
OG voltage  
RG voltage  
Symbol  
Tstg  
Topr  
VOD  
VRD  
VSG  
VOG  
VRG  
VTG  
Min.  
-20  
0
Typ.  
Max.  
+70  
+40  
+20  
+18  
+15  
+15  
+15  
+15  
+15  
+15  
+7  
Unit  
°C  
°C  
V
V
V
V
V
V
V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.5  
-0.5  
-15  
-15  
-15  
-15  
-15  
-15  
0
TG voltage  
Vertical clock voltage  
Horizontal clock voltage  
Vcc voltage  
VP1V, VP2V  
VP1H, VP2H  
Vcc  
V
V
ꢀꢀOperating conditions (MPP mode, Ta=25 °C)  
Parameter  
Output transistor drain voltage  
Reset drain voltage  
Output gate voltage  
Substrate voltage  
Symbol  
VOD  
VRD  
VOG  
Vss  
Min.  
12  
12  
-0.5  
-
Typ.  
15  
13  
2
Max.  
-
14  
5
Unit  
V
V
V
V
0
-
High  
Low  
High  
Low  
High  
Low  
High  
Low  
High  
Low  
VP1VH, VP2VH  
0
-9  
0
-9  
0
-9  
0
-9  
0
-9  
4.75  
3
-8  
3
-8  
3
-8  
3
-8  
3
-8  
5
6
-7  
6
-7  
6
-7  
6
-7  
6
-7  
5.25  
V
V
V
V
V
V
V
V
Vertical shift register  
clock voltage  
Horizontal shift register  
clock voltage  
V , V  
P1VL P2VL  
VP1HH, VP2HH  
P1HL P2HL  
V
, V  
VsGH  
VsGL  
VRGH  
VRGL  
VTGH  
VTGL  
Vcc  
Summing gate voltage  
Reset gate voltage  
V
V
V
Transfer gate voltage  
+5 V power supply voltage  
ꢀꢀElectrical characteristics (Ta=25 °C)  
Parameter  
Signal output frequency  
Symbol  
fc  
CP1v, CP2v  
Remark  
Min.  
-
-
-
-
-
-
-
Typ.  
1
70,000  
400  
600  
20  
220  
20  
220  
250  
450  
Max.  
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
11  
-
-
-
-
Unit  
MHz  
pF  
1
*
Vertical shift register capacitance  
S8986  
S10128  
S8986  
S10128  
S8986  
S10128  
S8986  
S10128  
Horizontal shift  
register capacitance  
CP1H, CP2H  
CsG  
pF  
pF  
pF  
pF  
Summing gate capacitance  
Reset gate capacitance  
Transfer gate capacitance  
CRG  
-
-
-
CTG  
2
3
3
Charge transfer efficiency  
DC output level  
Output impedance  
Power dissipation  
CTE  
VOut  
Zo  
*
*
*
0.99995  
0.99998  
-
V
Ω
5
-
-
-
-
8
500  
75  
1
P
*3 *4  
mW  
S8986  
S10128  
+5 V power supply current  
Icc  
mA  
2
*1: S8986 only. In case of S10128, maximum frequency is strongly depend on peripheral circuit and cable length.  
*2: Measured at half of the full well capacity. CTE is defined per pixel.  
*3: VOD=15 V  
*4: Power dissipation of the on-chip amplifier.  
2
1234567

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