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Datasheet > 传感器/换能器 > 图像传感器> S7015-0908
S7015-0908 PDF预览

S7015-0908

更新时间： 2024-02-01 10:39:25
品牌 Logo 应用领域
HAMAMATSU 传感器换能器图像传感器
页数 文件大小 规格书
10页 332K
描述
CCD area image sensor

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S7015-0908 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84其他特性：SENSITIVITY IS 2.20 MICRO V/ELECTRON
阵列类型：LINEAR主体宽度：22.9 mm
主体高度：7.7 mm主体长度或直径：34 mm
动态范围：90 dB外壳：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
安装特点：THROUGH HOLE MOUNT最高工作温度：30 °C
最低工作温度：-50 °C输出范围：12-18V
输出类型：ANALOG VOLTAGE封装形状/形式：RECTANGULAR
像素大小：24X24 µm传感器/换能器类型：IMAGE SENSOR,CCD
光谱响应 (nm)：400-1100表面贴装：NO
端接类型：SOLDERBase Number Matches：1

S7015-0908 数据手册

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CCD area image sensor S7010/S7011/S7015 series  
ꢀ A bsolute m axim um ratings (T a=25 °C )  
P aram eter  
O perating tem perature  
S ym bol  
Topr  
M in.  
-50  
-50  
-0.5  
-0.5  
-0.5  
-0.5  
-10  
-10  
-10  
-10  
-10  
-10  
-10  
-10  
Typ.  
M ax.  
+30  
+70  
+25  
+18  
+18  
+18  
+15  
+15  
+15  
+15  
+15  
+15  
+15  
+15  
U nit  
°C  
°C  
V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
S torage tem perature  
O D voltage  
Tstg  
V O D  
R D voltage  
V R D  
V
IS V voltage  
V IS V  
V
IS H voltage  
V IS H  
V
IG V voltage  
V IG 1V , V IG 2V  
V IG 1H , V IG 2H  
V S G  
V
IG H voltage  
V
S G voltage  
V
O G voltage  
V O G  
V
R G voltage  
V R G  
V
TG voltage  
V T G  
V
V ertical clock voltage  
H orizontal clock voltage  
V P 1V , V P 2V  
V P 1H , V P 2H  
V
V
O perating conditions (M P P m ode, T a=25 °C )  
P aram eter  
ꢀ
S ym bol  
V O D  
M in.  
18  
11.5  
1
Typ.  
20  
12  
3
M ax.  
U nit  
V
O utput transistor drain voltage  
R eset drain voltage  
22  
V R D  
12.5  
V
O utput gate voltage  
V O G  
5
-
V
S ubstrate voltage  
V S S  
-
0
V
Test point (vertical input source)  
Test point (horizontal input source)  
Test point (vertical input gate)  
Test point (horizontal input gate)  
V IS V  
-
V R D  
V R D  
0
-
V
V IS H  
-
-
V
V IG 1V , V IG 2V  
V IG 1H , V IG 2H  
V P 1V H , V P 2V H  
V P 1V L, V P 2V L  
V P 1H H , V P 2H H  
V P 1H L, V P 2H L  
V S G H  
-8  
-8  
4
-
V
0
-
V
V ertical shift register  
clock voltage  
H igh  
Low  
H igh  
Low  
H igh  
Low  
H igh  
Low  
H igh  
Low  
6
8
V
V
V
V
V
-9  
4
-8  
6
-7  
8
H orizontal shift register  
clock voltage  
-9  
4
-8  
6
-7  
8
S um m ing gate voltage  
R eset gate voltage  
V S G L  
-9  
4
-8  
6
-7  
8
V R G H  
V R G L  
-9  
4
-8  
6
-7  
8
V T G H  
Transfer gate voltage  
V T G L  
-9  
-8  
-7  
ꢀ E lectrical characteristics (Ta=25 °C )  
P aram eter  
S ym bol  
fc  
C P 1V , C P 2V  
C P 1H , C P 2H  
C S G  
M in.  
Typ.  
-
3,000  
120  
7
M ax.  
U nit  
M H z  
pF  
S ignal output frequency  
-
-
-
-
-
-
1
-
Vertical shift register capacitance *3  
H orizontal shift register capacitance *3  
S um m ing gate capacitance  
R eset gate capacitance  
-
pF  
-
pF  
C R G  
7
-
pF  
Transfer gate capacitance  
C harge transfer efficiency *4  
D C output level *5  
C T G  
120  
-
pF  
C TE  
V out  
Z o  
0.99995  
0.99999  
-
18  
-
-
V
12  
15  
3
O utput im pedance *5  
-
-
kW  
m W  
6
P ow er consum ption *5  
*3: S 7010/S 7011-1007  
*
P
15  
-
*4: C harge transfer efficiency per pixel, m easured at half of the full w ell.  
*5: The values depend on the loa d resistance. (typical, V O D =20 V, load resistance=22 kW )  
*6: P ow er consum ption of the on -chip am plifier.  
ꢀ E lectrical and optical characteristics (Ta=25 °C , unless otherw ise noted)  
P aram eter  
S ym bol  
V sat  
M in.  
Typ.  
F w × S v  
300,000  
600,000  
2.2  
M ax.  
-
-
U nit  
V
S aturation output voltage  
-
150,000  
V ertical  
Horizontal *7  
F ull w ell capacity  
F w  
S v  
D S  
N r  
e-  
300,000  
-
-
C C D node sensitivity  
D ark current *8 M PP m ode  
1.8  
-
-
µV /e-  
25 °C  
0 °C  
400  
3000  
150  
e-/pixel/s  
20  
(tentative data)  
R eadout noise *9  
-
8
12  
e- rm s  
Line binnng  
A rea scanning  
P hoto response non-uniform ity *1 1  
25,000  
12,000  
-
75,000  
37,500  
±3  
-
-
-
-
D ynam ic range *1 0  
D R  
P R N U  
±10  
%
S pectral response range  
-
400 to 1,100  
-
nm  
l
*7: Large horizontal full w ell for vertical binning operation.  
*8: D ark current nearly doubles for every 5 to 7 °C increase in tem perature.  
*9: -40 °C , operating frequency is 150 kH z.  
*10: D ynam ic range: D R = F ull w ell/R eadout noise.  
*11: M easured at half of full w ell capa city.  
P hoto response non-uniform ity:  
Fixed pattern noise (peak to peak)  
P R N U (% ) =  
× 100  
Signal  
2
1234567...10

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