5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > S1016N
S1016N PDF预览

S1016N

更新时间： 2024-02-06 06:10:00
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅栅极
页数 文件大小 规格书
8页 235K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 16A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, D2PAK-3

阅读下载

获取价格

S1016N 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.13
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：ANODE
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：30 mA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：16 A
断态重复峰值电压：100 V重复峰值反向电压：100 V
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

S1016N 数据手册

 浏览型号S1016N的Datasheet PDF文件第1页浏览型号S1016N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号S1016N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号S1016N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号S1016N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号S1016N的Datasheet PDF文件第7页 
Electrical Specifications  
Part Number  
VDRM  
IT  
& VRRM  
IGT  
IDRM & IRRM  
VTM  
VGT  
IH  
Non-Isolated  
Maximum  
On-State  
Current  
(1)  
Repetitive  
DC Gate  
Peak Off-State  
Peak  
DC Gate-  
DC Holding  
Peak  
Trigger  
Forward & Reverse On-State  
Trigger  
Current  
Off-State  
Forward  
& Reverse  
Voltage  
Current  
Current at  
VDRM & VRRM  
(12)  
Voltage at  
Voltage  
Gate Open  
(4) (11)  
V
D = 12VDC  
Max Rated VD = 12VDC  
R
L = 60Ω  
RMS  
Current  
C = 25°C  
(2)  
R
L = 60Ω  
TYPE  
(3)  
(7)  
T
D2Pak  
Amps  
mAmps  
Volts  
TC  
=
TC  
=
TC  
=
TC  
=
TC =  
IT(RMS) IT(AV)  
Volts  
MIN  
100  
200  
400  
600  
800  
100  
200  
400  
600  
800  
100  
200  
400  
600  
800  
100  
200  
400  
600  
800  
mAmps  
25°C 100°C 125°C  
MAX  
Volts  
MAX  
1.6  
1.6  
1.6  
1.6  
1.6  
1.6  
1.6  
1.6  
1.6  
1.6  
1.8  
1.8  
1.8  
1.8  
1.8  
1.8  
1.8  
1.8  
1.8  
1.8  
25°C 125°C  
mAmps  
MAX  
40  
40  
40  
40  
40  
50  
50  
50  
50  
50  
60  
60  
60  
60  
60  
MAX  
16  
16  
16  
16  
16  
25  
25  
25  
25  
25  
40  
40  
40  
40  
40  
55  
55  
55  
55  
55  
MAX  
10  
10  
10  
10  
10  
16  
16  
16  
16  
16  
25  
25  
25  
25  
25  
35  
35  
35  
35  
35  
MIN  
MAX  
30  
30  
30  
30  
30  
35  
35  
35  
35  
35  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
40  
MAX  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
MIN  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
S1016N  
S2016N  
S4016N  
S6016N  
**S8016N  
S1025N  
S2025N  
S4025N  
S6025N  
**S8025N  
S1040N  
S2040N  
S4040N  
S6040N  
**S8040N  
S1055N  
S2055N  
S4055N  
S6055N  
**S8055N  
1
1
1
1
1
1
1
1
.01  
.01  
.01  
.01  
.02  
.01  
.01  
.01  
.01  
.02  
.01  
.01  
.01  
.01  
.02  
.01  
.01  
.01  
.01  
.02  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.5  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.5  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.5  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
3.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
3.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
3.0  
16 A  
25 A  
40 A  
55 A  
1
1
5
5
5
5
5
5
60  
60  
60  
60  
5
5
5
5
60  
** Cunsult factory for 1000 volt device  
Electrical Specification Notes  
(1) See Figures 1.2 through 1.9 for current rating at specified operat-  
General Notes  
ing case temperature.  
•
All measurements are made at 60Hz with a resistive load at an  
ambient temperature of +25°C unless otherwise specified.  
(2) See Figures 1.12 and 1.13 for instantaneous on-state current vs  
on-state voltage (typical).  
(3) See Figure 1.11 for I vs T .  
GT  
C
•
•
•
Operating temperature range (T ) is -40°C to +125°C  
J
(4) See Figure 1.10 for I vs T .  
H
C
Storage temperature range (T ) is -40°C to +150°C  
S
(5) For more than one full cycle rating, see Figure 1.18.  
Lead solder temperature is a maximum of 230°C for 10 seconds  
maximum; 1/16" (1.59mm) from case.  
(6) See Figure 1.15 for t vs I  
.
GT  
C
gt  
(7) See Figure 1.14 for V vs T .  
GT  
(8) Test conditions are as follows: 2A .Pulse duration = 50µs,  
•
The case temperature (T ) is measured as shown on dimensional  
C
dv/dt = 20V/µs, di/dt = -30A/µs I = 200mA at turn-on.  
outline drawings. See “Package Dimensions” section of this  
catalog.  
GT  
(9) See Figures 1.2 through 1.5 for maximum allowable case temper-  
atures at maximum rated current.  
(10) Pulse width ≤ 10µs.  
(11) Initial on-state current = 200mA(DC) for 16A devices; 400mA(DC)  
for 25A through 55A devices.  
(12) T = T for test conditions in off-state.  
C
J
D2Pak SCR  
2
2001 Teccor Electronics  
+1 972 580-7777  
12345678

下载PDF

与S1016N相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
S1016R TECCOR Silicon Controlled Rectifier, 16A I(T)RMS, 16000mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Eleme

获取价格
S1016R51V LITTELFUSE Silicon Controlled Rectifier, 16A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-220AB,

获取价格
S1016R53V TECCOR Silicon Controlled Rectifier, 16A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-220AB,

获取价格
S1016R54V TECCOR Silicon Controlled Rectifier, 16A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-220AB,

获取价格
S1016R55V TECCOR Silicon Controlled Rectifier, 16A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-220AB,

获取价格
S1016R56V TECCOR Silicon Controlled Rectifier, 16A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-220AB,

获取价格

与S1016N相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证