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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> RURP1560
RURP1560 PDF预览

RURP1560

更新时间： 2023-06-19 14:31:28
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 小信号双极晶体管二极管
页数 文件大小 规格书
3页 29K
描述
15A，600V，超快二极管

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RURP1560 数据手册

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January 2005  
BC517  
NPN Darlington Transistor  
•
•
This device is designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 1.0A.  
Sourced from process 05.  
TO-92  
1
1. Collector 2. Base 3. Emitter  
Absolute Maximum Ratings *  
T = 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
40  
10  
V
I
- Continuous  
1.2  
A
C
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 ~ 150  
°C  
J
STG  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may impaired.  
NOTES:  
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics  
T = 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min.  
Max  
Units  
Off Characteristics  
V
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage *  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
I
= 2.0mA, I = 0  
30  
40  
10  
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
CBO  
C
C
E
B
= 10µA, I = 0  
E
= 100nA, I = 0  
V
C
I
V
= 30V, I = 0  
100  
nA  
CB  
E
On Characteristics *  
h
DC Current Gain  
V
= 2.0V, I = 20mA  
30,000  
FE  
CE  
C
V
V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I
I
= 100mA, I = 0.1mA  
1
V
V
CE(sat)  
BE(on)  
C
C
B
= 10mA, V = 5.0V  
1.4  
CE  
Thermal Characteristics  
T = 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
P
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
D
R
R
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
83.3  
200  
°C/W  
°C/W  
θJC  
θJA  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
BC517 Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
123

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RURP1560 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
RHRP1560 ONSEMI

类似代替

 15 A、600 V 超高速二极管
MUR1540G ONSEMI

类似代替

 ULTRAFAST RECTIFIERS 15 AMPERES, 100−600 VOLTS
FES16GT-E3/45 VISHAY

功能相似

 DIODE 16 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2,

与RURP1560相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RURP1560_04 FAIRCHILD

获取价格

 		15A, 400V - 600V Ultrafast Diode
RURP1560_F085 FAIRCHILD

获取价格

 		600V, 15A, 1.24V, TO-220 (2-lead)Ultrafast Rectifier, TO-220, MOLDED, 2LD, 800/RAIL
RURP1560_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 15A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AC, LEAD
RURP1560-F085 ONSEMI

获取价格

 		600 V、15 A、1.24 V、TO-220（2 引脚）超快速整流器
RURP1560-F085P ONSEMI

获取价格

 		600 V、15 A、1.24 V、TO-220（2 引脚）超快速整流器
RURP1570 ROCHESTER

获取价格

 		15A, 700V, SILICON, RECTIFIER DIODE
RURP3010 RENESAS

获取价格

 		RECTIFIER DIODE,100V V(RRM),TO-220AC
RURP3010 ROCHESTER

获取价格

 		30A, 100V, SILICON, RECTIFIER DIODE
RURP30100 INTERSIL

获取价格

 		30A, 1000V Ultrafast Diode
RURP30120 INTERSIL

获取价格

 		30A, 1200V Ultrafast Diode

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