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RJP020N06FRAT100

更新时间： 2024-02-01 07:22:10

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罗姆 - ROHM		/
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13页	2520K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor,

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技术参数
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RJP020N06FRAT100 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.88
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

RJP020N06FRAT100 数据手册

RJP020N06FRA

ꢀꢀNch 60V 2A Middle Power MOSFET

Datasheet

ꢀꢀ

lOutline

ꢀ

SOT-89

V_DSS

60V

240mΩ

±2A

MPT3

R_DS(on)(Max.)

ꢀ

I_D

ꢀ

P_D

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

llInner circuit

llFeatures

1) Low on-resistance

2) Low voltage drive(2.5V drive)

3) AEC-Q101 Qualified

llPackaging specifications

Embossed

Tape

Packing

Reel size (mm)

180

llApplication

Tape width (mm)

Type

Switching

Basic ordering unit (pcs)

Taping code

1000

T100

Marking

llAbsolute maximum ratings (T = 25°C ,unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_DSS

I_D

Value

Unit

Drain - Source voltage

Continuous drain current

Pulsed drain current

±2

I_DP

±8

±12

V_GSS

Gate - Source voltage

P_D

℃

Power dissipation

P_D

500

T_j

Junction temperature

150

T_stg

Operating junction and storage temperature range

-55 to +150

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

www.rohm.com

ꢀ ꢀ

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20160713 - Rev.001

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与RJP020N06FRAT100相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
RJP020N06T100	ROHM	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o	获取价格
RJP1CS01DWA	RENESAS	IGBT 1250V 15A Wafer	获取价格
RJP1CS01DWS	RENESAS	IGBT 1250V 15A Sawn	获取价格
RJP1CS03DWA	RENESAS	1250V - 30A - IGBT Application: Inverter	获取价格
RJP1CS03DWA_15	RENESAS	Inverter	获取价格
RJP1CS03DWA-80	RENESAS	Inverter	获取价格