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RJP020N06T100

更新时间： 2024-11-11 20:10:51
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 885K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MPT3, 3 PIN

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RJP020N06T100 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：MPT3, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：1.64外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A最大漏极电流 (ID)：2 A
最大漏源导通电阻：0.3 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e3/e2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：TIN/TIN COPPER端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

RJP020N06T100 数据手册

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RJP020N06  
Transistors  
2.5V Drive Nch MOS FET  
RJP020N06  
zStructure  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
Silicon N-channel MOS FET  
MPT3  
SOT-89  
4.5  
1.6  
1.5  
zFeatures  
1) Low On-resistance.  
2) Low voltage drive (2.5V drive).  
(1)  
(2)  
(3)  
0.4  
0.5  
3.0  
0.4  
0.4  
1.5  
1.5  
(1)Gate  
zApplications  
Switching  
(2)Drain  
(3)Source  
Abbreviated symbol : LS  
zPackaging specifications  
zInner circuit  
DRAIN  
Package  
Taping  
T100  
Type  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
1000  
RJP020N06  
GATE  
∗2  
∗1  
SOURCE  
∗1 ESD PROTECTION DIODE  
∗2 BODY DIODE  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Limits  
60  
Unit  
V
12  
V
Continuous  
2.0  
8.0  
2.0  
8.0  
500  
A
Drain current  
Pulsed  
∗1  
IDP  
IS  
A
Continuous  
A
Source current  
(Body diode)  
∗1  
Pulsed  
ISP  
A
mW  
W
°C  
°C  
Total power dissipation  
Channel temperature  
PD  
∗2  
2
Tch  
150  
Range of storage temperature  
Tstg  
−55 to +150  
∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%  
∗2 When mounted on a 40+ 40+ 0.7mm ceramic board  
zThermal resistance  
Parameter  
Symbol  
Limits  
250  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Channel to ambient  
Rth(ch-a)  
∗
62.5  
+
+
∗ When mounted on a 40 40 0.7mm ceramic board  
1/2  
12345

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RJP020N06T100 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SK3065T100 ROHM

类似代替

 Small switching (60V, 2A)
2SK3019TL ROHM

功能相似

 2.5V Drive Nch MOS FET
2N7002LT1G ONSEMI

功能相似

 Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23

与RJP020N06T100相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RJP1CS01DWA RENESAS

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 		IGBT 1250V 15A Wafer
RJP1CS01DWS RENESAS

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RJP1CS03DWA RENESAS

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