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1SS86TD

更新时间: 2024-01-09 06:22:06
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 肖特基二极管微波混频二极管电视
页数 文件大小 规格书
5页 74K
描述
SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, DO-35

1SS86TD 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.37
其他特性:HIGH RELIABILITY最小击穿电压:3 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
最大二极管电容:0.85 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:MIXER DIODE频带:ULTRA HIGH FREQUENCY
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:100 °C最大输出电流:30 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.15 W
认证状态:Not Qualified最大反向电流:50 µA
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL

1SS86TD 数据手册

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1SS86  
Silicon Schottky Barrier Diode for UHF TV Tuner Mixer  
REJ03G0614-0300  
(Previous: ADE-208-186B)  
Rev.3.00  
May 09, 2005  
Features  
Low capacitance. (C = 0.85 pF max)  
High reliability with glass seal.  
Ordering Information  
Package Code  
Type No.  
Cathode band  
White  
2nd band  
Mark  
Package Name  
DO-35  
(Previous Code)  
1SS86  
White  
H
GRZZ0002ZB-A  
(DO-35)  
Pin Arrangement  
2
1
2nd band  
Cathode band  
1. Cathode  
2. Anode  
Rev.3.00 May 09, 2005 page 1 of 4  

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
1SS86TDX HITACHI Mixer Diode, Ultra High Frequency, Silicon, DO-35

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