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RD7.5SBY

更新时间: 2024-01-16 18:26:41
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 171K
描述
Zener Diode, 7.56V V(Z), 4.1%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, SUPERMINI-2

RD7.5SBY 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:R-PDSO-G2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.67
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.2 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:7.56 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:4.1%
工作测试电流:5 mA

RD7.5SBY 数据手册

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RD2.0S to RD150S  
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)  
Fig.1 POWER DISSIPATION vs. AMBIENT TEMPERATURE  
250  
200  
150  
100  
50  
P. C. B. (Glass Epoxy)  
(30 mm × 30 mm × 1.6 mm)  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
T
A
- Ambient Temperature - ˚C  
Fig.2 ZENER CURRENT vs. ZENER VOLTAGE  
Fig.3 ZENER CURRENT vs. ZENER VOLTAGE  
RD2.2S  
RD6.8S  
RD2.0S  
T
A
= 25˚C  
RD7.5S  
TYP.  
RD2.4S  
RD8.2S  
100 m  
10 m  
1 m  
100 m  
10 m  
1 m  
RD2.7S  
RD3.0S  
RD3.3S  
RD3.6S  
RD3.9S  
RD11S  
RD9.1S  
RD10S  
RD12S  
RD13S  
100  
10  
1
μ
μ
μ
100  
10  
1
μ
μ
μ
100 n  
100 n  
RD4.3S  
RD4.7S  
RD5.1S  
RD5.6S  
10 n  
1 n  
10 n  
1 n  
RD6.2S  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
0
7
8
9
10 11 12 13 14 15  
VZ - Zener Voltage - V  
Vz - Zener Voltage - V  
6
Data Sheet D11444EJ6V0DS  

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