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RD5.6JSAB3

更新时间： 2024-02-15 12:07:32

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EIC		稳压二极管测试
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3页	39K
描述
SILICON ZENER DIODES

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RD5.6JSAB3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	60 Ω
元件数量：	1	最高工作温度：	175 °C
最大功率耗散：	0.4 W	标称参考电压：	5.6 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

RD5.6JSAB3 数据手册

SILICON ZENER DIODES

RD4.7JS ~ RD39JS

V_Z: 4.7 - 39 Volts

P_D: 400 mW

DO - 34 Glass

1.00 (25.4)

0.078 (2.0 )max.

min.

FEATURES :

* Complete 4.7 to 39 Volts

* High peak reverse power dissipation

* High reliability

* Low leakage current

* Pb / RoHS Free

0.118 (3.0)

Cathode

max.

Mark

1.00 (25.4)

min.

0.019 (0.50)max.

MECHANICAL DATA

Case: DO-34 Glass Case

Weight: approx. 0.13g

Dimensions in inches and ( millimeters )

MAXIMUM RATINGS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified

Rating

Symbol

Value

Unit

P_D

Power Dissipation

400

I_F

T_j

Forward Current

150

°C

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

- 55 to + 175

T_s

°C

Derating Curve

700

600

500

400

300

200

100

100 125 150 175 200

Ambient Temperture , Ta (°C)

Page 1 of 3

Rev. 02 : March 25, 2005

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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