5秒后页面跳转
R220CH08FJO PDF预览

R220CH08FJO

更新时间: 2024-02-04 17:00:25
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
2页 145K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1505.63A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-200AC

R220CH08FJO 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-CEDB-N2
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.84Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY标称电路换相断开时间:25 µs
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us
最大直流栅极触发电流:300 mA最大直流栅极触发电压:3 V
JEDEC-95代码:TO-200ACJESD-30 代码:O-CEDB-N2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:1505.63 A重复峰值关态漏电流最大值:70000 µA
断态重复峰值电压:800 V重复峰值反向电压:800 V
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:END触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

R220CH08FJO 数据手册

 浏览型号R220CH08FJO的Datasheet PDF文件第2页 

与R220CH08FJO相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
R220CH08FK IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 1950A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element
R220CH08FK0 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 1135000mA I(T), 800V V(DRM)
R220CH08FK4 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 1950 A, 800 V, SCR, TO-200AC
R220CH08FK5 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 1950 A, 800 V, SCR, TO-200AC
R220CH08FK6 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 1950A I(T)RMS, 800V V(DRM), 480V V(RRM), 1 Element, TO-200AC
R220CH08FK7 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 1950 A, 800 V, SCR, TO-200AC
R220CH08FK9 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 1950 A, 800 V, SCR, TO-200AC
R220CH08FL0 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 1135000mA I(T), 800V V(DRM),
R220CH08FL0 LITTELFUSE

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 1135000mA I(T), 800V V(DRM),
R220CH10 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 1950A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element