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R1Q3A4436RBG-33I

更新时间： 2023-12-20 18:46:34
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瑞萨 - RENESAS 静态存储器
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30页 953K
描述
144-Mbit QDR? II SRAM 4-word Burst

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R1Q3A4436RBG-33I 数据手册

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R1Q3A4436RBG, R1Q3A4418RBG  
Datasheet  
[R1Q3A4418RBG]  
8M x 18  
(Top View)  
1
/CQ  
NC  
2
3
4
5
/BW1  
NC  
6
7
NC  
8
9
SA  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
VDDQ  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
SA  
10  
SA  
NC  
Q7  
11  
CQ  
Q8  
D8  
D7  
Q6  
Q5  
D5  
ZQ  
D4  
Q3  
Q2  
D2  
D1  
Q0  
TDI  
SA  
SA  
/W  
/K  
/R  
A
B
C
D
E
F
Q9  
D9  
SA  
K
/BW0  
SA  
SA  
NC  
NC  
D10  
Q10  
Q11  
D12  
Q13  
VDDQ  
D14  
Q14  
D15  
D16  
Q16  
Q17  
SA  
VSS  
SA  
NC  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
SA  
C
VSS  
NC  
D11  
NC  
VSS  
VSS  
VSS  
VDD  
VDD  
VDD  
VDD  
VDD  
VSS  
VSS  
SA  
VSS  
VSS  
VDD  
VDD  
VDD  
VDD  
VDD  
VSS  
VSS  
SA  
VSS  
NC  
D6  
NC  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VSS  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VSS  
NC  
Q12  
D13  
VREF  
NC  
NC  
NC  
VREF  
Q4  
NC  
G
H
J
/DOFF  
NC  
NC  
NC  
D3  
K
L
NC  
Q15  
NC  
NC  
Q1  
NC  
M
N
P
R
NC  
D17  
NC  
VSS  
VSS  
NC  
D0  
NC  
SA  
SA  
SA  
SA  
TDO  
TCK  
SA  
SA  
/C  
SA  
SA  
TMS  
Notes: 1.  
2.  
Address expansion order for future higher density SRAMs: 10A → 2A → 7A → 5B.  
NC pins can be left floating or connected to 0V to VDDQ  
R10DS0140EJ0101 Rev.1.01  
Aug 01, 2014  
Page 5 of 29  
12345678...30

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