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R0633YS10F

更新时间： 2024-02-26 21:56:10

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅栅极
页数	文件大小	规格书
12页	349K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1269A I(T)RMS, 1055000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, 101A335, 3 PIN

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R0633YS10F 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	101A335, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.66
标称电路换相断开时间：	30 µs	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	200 V/us	最大直流栅极触发电流：	200 mA
最大直流栅极触发电压：	3 V	最大维持电流：	1000 mA
JESD-30 代码：	O-CXDB-X3	最大漏电流：	60 mA
通态非重复峰值电流：	6300 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最大通态电流：	1055000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	1269 A	断态重复峰值电压：	1000 V
重复峰值反向电压：	1000 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

R0633YS10F 数据手册

WESTCODE ^{Positive development in power electronics}

R0663YS10x to R0633YS12x

Characteristics

PARAMETER

MIN.

TYP. MAX. TEST CONDITIONS

UNITS

(Note 1)

V_TM

V₀

Maximum peak on-state voltage

Threshold voltage

1.85 I_TM=1000A

1.25

r_S

Slope resistance

0.614

Ω

dv/dt Critical rate of rise of off-state voltage

200

V_D=80% V_DRM, linear ramp

V/ s

I_DRM

I_RRM

V_GT

I_GT

I_H

Peak off-state current

Peak reverse current

Gate trigger voltage

Gate trigger current

3.0

Rated V_DRM

Rated V_RRM

T_j=25°C

200 T_j=25°C

V_D=10V, I_T=3A

µC

Holding current

1000 T_j=25°C

Q_rr

Q_ra

I_rm

Recovered charge

125

2.25

Recovered charge, 50% Chord

Reverse recovery current

Reverse recovery time

100

_TM=550A, t_p=500µs, di/dt=40A/µs, V_r=50V

t_rr

µs

I_TM=550A, t_p=500µs, di/dt=40A/µs, V_r=50V,

V_dr=80%V_DRM, dV_dr/dt=20V/µs

t_q

Turn-off time

µs

I_TM=550A, t_p=500µs, di/dt=40A/µs, V_r=50V,

V_dr=80%V_DRM, dV_dr/dt=200V/µs

0.050 Double side cooled

K/W

R_th(j-hs)Thermal resistance, junction to heatsink

0.10 Single side cooled

Mounting force

Weight

5.5

W_t

Notes:-

1) Unless otherwise indicated T_j=125°C.

2) The required t_q(specified with dV_dr/dt=200V/µs) is represented by an ‘x’ in the device part number. See ordering information

for details of t_qcodes.

Introduction

The R0633 series of Distributed Gate thyristors have fast switching characteristics provided by a

regenerative, interdigitated gate. They also exhibit low switching losses. They are therefore suitable for

medium current, medium frequency applications.

Data Sheet. Types R0633YS10x to R0633YS12x Issue 2

Page 2 of 12

June, 2001

123 4 5 6 7...12

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与R0633YS10F相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
R0633YS12D	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1269A I(T)RMS, 1055000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1
R0633YS12D	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1269A I(T)RMS, 1055000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1
R0633YS12E	LITTELFUSE	获取价格	暂无描述
R0633YS12F	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1269A I(T)RMS, 1055000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1
R0633YS12F	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1269A I(T)RMS, 1055000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1
R06LD20G-TB5-T	UTC	获取价格	Fixed Positive LDO Regulator, 6V, BIPolar, PZIP5,
R06LD20G-TF4-T	UTC	获取价格	Fixed Positive LDO Regulator, 6V, BIPolar,
R06LD20G-TN3-D-R	UTC	获取价格	Fixed Positive LDO Regulator
R06LD20G-TN3-T	UTC	获取价格	Fixed Positive LDO Regulator
R06LD20L-TB5-T	UTC	获取价格	Fixed Positive LDO Regulator, 6V, 0.5V Dropout, BIPolar, LEAD FREE, TO-220B, 5 PIN

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