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R0487YS12F

更新时间： 2024-02-12 13:39:03
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅栅极
页数 文件大小 规格书
12页 385K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 982A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, 101A335, 3 PIN

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R0487YS12F 技术参数

生命周期：Active包装说明：DISK BUTTON, O-CXDB-X3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.17
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：200 mA
JESD-30 代码：O-CXDB-X3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：DISK BUTTON
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：982 A
断态重复峰值电压：1200 V重复峰值反向电压：1200 V
表面贴装：YES端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UNSPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

R0487YS12F 数据手册

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Date:- 14 Oct, 2004  
Data Sheet Issue:- 3  
WESTCODE  
An IXYS Company  
Distributed Gate Thyristor  
Type R0487YS10# to R0487YS14#  
(Old Type Number: R210SH10-14)  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
1000-1400  
V
V
V
V
1000-1400  
1000-1400  
1100-1500  
MAXIMUM  
LIMITS  
487  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IT(AV)M  
IT(AV)M  
IT(AV)M  
IT(RMS)  
IT(d.c.)  
ITSM  
Maximum average on-state current, Tsink=55°C, (note 2)  
Maximum average on-state current. Tsink=85°C, (note 2)  
Maximum average on-state current. Tsink=85°C, (note 3)  
Nominal RMS on-state current, Tsink=25°C, (note 2)  
D.C. on-state current, Tsink=25°C, (note 4)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, Vrm=60%VRRM, (note 5)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, Vrm≤10V, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, Vrm=60%VRRM, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, Vrm≤10V, (note 5)  
Critical rate of rise of on-state current (repetitive), (Note 6)  
Critical rate of rise of on-state current (non-repetitive), (Note 6)  
Peak reverse gate voltage  
A
A
321  
184  
A
982  
A
802  
A
4300  
A
ITSM2  
I2t  
I2t  
4700  
A
92.5×103  
110.5×103  
500  
A2s  
A2s  
A/µs  
A/µs  
V
(di/dt)cr  
1000  
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
5
Mean forward gate power  
2
W
Peak forward gate power  
30  
W
Tj op  
Operating temperature range  
-40 to +125  
-40 to +150  
°C  
°C  
Tstg  
Storage temperature range  
Notes:-  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Double side cooled.  
5) Half-sinewave, 125°C Tj initial.  
6) VD=67% VDRM, IFG=2A, tr≤0.5µs, Tcase=125°C.  
Data Sheet. Type R0487YS10# to R0487YS14# Issue 3  
Page 1 of 12  
October, 2004  
1234567...12

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
R0487YS14# LITTELFUSE Silicon Controlled Rectifier, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, 101A335, 3 PIN

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R0487YS14D IXYS Silicon Controlled Rectifier, 982A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, 101A335

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R0487YS14D LITTELFUSE Silicon Controlled Rectifier, 982A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, 101A335

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R0487YS14E IXYS Silicon Controlled Rectifier, 982A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, 101A335

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R0487YS14E LITTELFUSE Silicon Controlled Rectifier, 982A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, 101A335

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R0487YS14F LITTELFUSE Silicon Controlled Rectifier, 982A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, 101A335

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