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Q62702-P80

更新时间： 2024-02-08 15:16:09

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英飞凌 - INFINEON		光电二极管光电二极管
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描述
Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode

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Q62702-P80 数据手册

BPX 65

BPX 66

Silizium-PIN-Fotodiode

Silicon PIN Photodiode

BPX 65

BPX 66

Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

Features

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 350 nm bis 1100 nm

● Especially suitable for applications from

350 nm to 1100 nm

● BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit

● BPX 66: Sperrstromarm (typ. 150 pA)

● Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18),

● BPX 65: high photosensitivity

● BPX 66: low reverse current (typ. 150 pA)

● Hermetically sealed metal package (TO-18),

geeignet bis 125 C

suitable up to 125 C

Anwendungen

Applications

● schneller optischer Empfänger mit groβer

● Fast optical sensor of high modulation

Modulationsbandbreite

bandwidth

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

Gehäuse

Package

BPX 65

BPX 66

Q62702-P27

Q62702-P80

18 A3 DIN 41870, planes Glasfenster, hermetisch

dichtes Gehäuse, Lötspieβe im 2.54-mm-Raster

( /10”), Anodenkennzeichnung: Nase am Gehäuse-

boden

18 A3 DIN 41870, flat glass lens, hermetically

sealed package, solder tabs 2.54 mm ( /10”) lead

spacing, anode marking: projection at package bot-

tom

Eine Abstimmung der Einsatzbedingungen mit dem Hersteller wird empfohlen bei T > 85 C

For operating conditions of T > 85 C please contact us.

10.95

Semiconductor Group

342

12 3 4

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