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PT-3512

更新时间: 2024-01-10 05:26:02
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其他 - ETC 晶体晶体管开关
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2页 316K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 325V V(BR)CEO | 30A I(C) | TO-210AE

PT-3512 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.77
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):30 A
基于收集器的最大容量:400 pF集电极-发射极最大电压:325 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):5
JEDEC-95代码:TO-63JESD-30 代码:O-MUPM-D3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:200 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:350 W
最大功率耗散 (Abs):350 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):10 MHz最大关闭时间(toff):1700 ns
VCEsat-Max:0.6 VBase Number Matches:1

PT-3512 数据手册

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