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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.77 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 基于收集器的最大容量： | 400 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 5 | JEDEC-95代码： | TO-63 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 325 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 325 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 1.5 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 3200 ns | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| PT-3520 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 50A I(C) | TO-210AE |
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| PT3522 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 325V V(BR)CEO | 50A I(C) | TO-210AE |
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| PT-3523 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 50A I(C) | TO-210AE |
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| PT-3524 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 50A I(C) | TO-210AE |
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| PT-3526 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 600V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AE |
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| PT-3530 | OPTOWAY | 3.3V / 155 Mbps InGaAs PIN-TIA Receiver InGaAs PIN-TIA WITH RECEPTACLE |
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