MICRON TECHNOLOGY (镁光) 更新时间:2025-04-29 20:11:55
Micron(镁光)是美国的半导体巨头。自1978年成立以来,它一直专注于存储芯片的设计和制造。它有自己的晶圆工厂,也是美国唯一的存储芯片制造商。Micron(Micron)的主要产品是DRAM和Flash。Micron(镁光)的市值在全球半导体行业一直保持在第5-第10位,在存储行业一直排名第二。Micron(镁光)在各个国家都有Site,Micron(镁光)有近30个R&D中心和工厂,主要在美国、中国、意大利、日本、新加坡、台湾省、波多黎各、以色列、马来西亚等地。 Micron(镁光)是四大存储巨头中唯一icron(Micron)是唯一一家在上海设立R&D机构的公司。在过去的10年里,上海R&D中心已经独立生产了几代产品,现在最新的3DMemory设计也在上海落户。通过这张简单的图片,我们可以看到美光上海的设计主要分为IC、System和Control设计。
型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
M25PX64-VME6TGTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):64Mb(8M x 8);内存数据长度(bit):8M ;字编码数(k) | |
M25PX64-VZM6TPTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):64Mb(8M x 8);内存数据长度(bit):8M ;字编码数(k) | |
M25PX64SOVZM6TPTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):64Mb(8M x 8);内存数据长度(bit):8M ;字编码数(k) | |
M25PX64-VMF6TPTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):64Mb(8M x 8);内存数据长度(bit):8M ;字编码数(k) | |
MT45W512KW16BEGB-708WTTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | PSRAM(伪SRAM)存储器IC8Mb(512Kx16)并联70ns54-VFBGA(6 | |
MT45W256KW16BEGB-708WTTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
存储 | 存储容量(Mb):4Mb(256K x 16);内存数据长度(bit):256K ;字编码 | |
MT45W256KW16PEGA-70WTTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
存储 | 存储容量(Mb):4Mb(256K x 16);内存数据长度(bit):256K ;字编码 | |
MT45W512KW16PEGA-70ITTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
存储 | 存储容量(Mb):8Mb(512K x 16);内存数据长度(bit):512K ;字编码 | |
MT45W512KW16PEGA-70WTTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
存储 | 存储容量(Mb):8Mb(512K x 16);内存数据长度(bit):512K ;字编码 | |
MT45V256KW16PEGA-70WTTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | PSRAM(伪SRAM)存储器IC4Mb(256Kx16)并联70ns | |
MT45V256KW16PEGA-55WTTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
存储 | 存储容量(Mb):4Mb(256K x 16);内存数据长度(bit):256K ;字编码 | |
MT45V512KW16PEGA-70WTTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
存储 | 存储容量(Mb):8Mb(512K x 16);内存数据长度(bit):512K ;字编码 | |
MT45V512KW16PEGA-55WTTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
存储 | 存储容量(Mb):8Mb(512K x 16);内存数据长度(bit):512K ;字编码 | |
MT47H512M4THN-3:ETR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):2Gb(512M x 4);内存数据长度(bit):512M ;字编码数 | |
MT47H64M4BP-37E:B | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):256Mb(64M x 4);内存数据长度(bit):64M ;字编码数 | |
MT47H32M8BP-5E:B | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):256Mb(32M x 8);内存数据长度(bit):32M ;字编码数 | |
MT47H32M8BP-37V:B | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):256Mb(32M x 8);内存数据长度(bit):32M ;字编码数 | |
MT47H16M16BG-5E:B | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):256Mb(16M x 16);内存数据长度(bit):16M ;字编码 | |
MT47H16M16BG-5E:BTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):256Mb(16M x 16);内存数据长度(bit):16M ;字编码 | |
MT47H16M16BG-3E:B | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):256Mb(16M x 16);内存数据长度(bit):16M ;字编码 | |
MT47H64M4BP-37E:BTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):256Mb(64M x 4);内存数据长度(bit):64M ;字编码数 | |
MT47H16M16BG-3:BTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):256Mb(16M x 16);内存数据长度(bit):16M ;字编码 | |
MT47H32M8BP-37E:BTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器双倍数据速率 | SDRAM-DDR2存储器IC256Mb(32Mx8)并联267MHz500ps60-FB | |
MT47H16M16BG-37E:BTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):256Mb(16M x 16);内存数据长度(bit):16M ;字编码 | |
MT45W4MW16BCGB-701WTTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | PSRAM(伪SRAM)存储器IC64Mb(4Mx16)并联70ns54-VFBGA(6x | |
MT45W4MW16BCGB-701WT | MICRON | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | PSRAM(伪SRAM)存储器IC64Mb(4Mx16)并联70ns54-VFBGA(6x | |
MT45W4MW16BCGB-701ITTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
存储 | 存储容量(Mb):64Mb(4M x 16);内存数据长度(bit):4M ;字编码数(k | |
MT48V8M16LFF4-8:G | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):128Mb(8M x 16);内存数据长度(bit):8M ;字编码数( | |
MT48V8M16LFB4-8XT:GTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):128Mb(8M x 16);内存数据长度(bit):8M ;字编码数( | |
MT48V8M16LFF4-8:GTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):128Mb(8M x 16);内存数据长度(bit):8M ;字编码数( |
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