FUJI ELECTRIC (富士电机) 更新时间:2023-11-27 07:16:26
富士电机自1923年成立以来,在这100年的漫长历史中,不断革新能源和环境技术,在产业和社会领域中为世界作出巨大贡献。中国和富士电机的渊源由来已久,可追溯至1965年在四川省射洪县引进中国的首例阀门水轮发电机。 如今的国际社会中,在致力于可持续发展目标SDGs和温室效应对策的同时,我们还面临着平衡经济增长与解决社会环境问题这一重要挑战。即便是已经拥有全球性经济规模,每年保持快速增长的中国,也日益重视如何构建一个环保和节能双赢的和谐社会这一课题。 富士电机(中国)依托创业以来积累的技术和经验,追求电力、热能技术的革新,通过能够高效利用能源的高附加值环保型产品,为中国社会的发展贡献自身的力量。
型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
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晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
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Transistor | ||
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晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网 | 暂无描述 | |
2MBI300N-120-01D | FUJI | 获取价格 | ![]() |
晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 | |
2FI50AD | FUJI | 获取价格 | ![]() |
二极管快恢复二极管快速恢复二极管 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 50A, Silicon, | |
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二极管快恢复二极管快速恢复二极管 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, Silicon, | |
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晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 | |
2MBI400N-060-01A | FUJI | 获取价格 | ![]() |
晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, | |
2MBI300N-120-01B | FUJI | 获取价格 | ![]() |
晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 | |
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晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 | |
2MBI400N-060-01C | FUJI | 获取价格 | ![]() |
晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, | |
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晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 | |
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晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 | |
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二极管快恢复二极管快速恢复二极管 | 暂无描述 | |
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晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 | |
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晶体晶体管功率控制局域网 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 | |
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二极管快恢复二极管快速恢复二极管 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, Silicon, | |
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晶体晶体管功率控制局域网 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 | |
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晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 | |
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晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 | |
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晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, | |
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晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 | |
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晶体晶体管功率控制局域网 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 | |
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二极管快恢复二极管快速恢复二极管 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 100A, Silicon, | |
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