MICRON TECHNOLOGY (镁光) 更新时间:2025-04-29 20:10:37
Micron(镁光)是美国的半导体巨头。自1978年成立以来,它一直专注于存储芯片的设计和制造。它有自己的晶圆工厂,也是美国唯一的存储芯片制造商。Micron(Micron)的主要产品是DRAM和Flash。Micron(镁光)的市值在全球半导体行业一直保持在第5-第10位,在存储行业一直排名第二。Micron(镁光)在各个国家都有Site,Micron(镁光)有近30个R&D中心和工厂,主要在美国、中国、意大利、日本、新加坡、台湾省、波多黎各、以色列、马来西亚等地。 Micron(镁光)是四大存储巨头中唯一icron(Micron)是唯一一家在上海设立R&D机构的公司。在过去的10年里,上海R&D中心已经独立生产了几代产品,现在最新的3DMemory设计也在上海落户。通过这张简单的图片,我们可以看到美光上海的设计主要分为IC、System和Control设计。
型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
MT48LC4M16A2F4-75:GTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):64Mb(4M x 16);内存数据长度(bit):4M ;字编码数(k | |
MT48LC4M16A2F4-7E:GTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
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MT48LC4M16A2B4-7E:GTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):64Mb(4M x 16);内存数据长度(bit):4M ;字编码数(k | |
MT47H64M8B6-25EL:DTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):512Mb(64M x 8);内存数据长度(bit):64M ;字编码数 | |
MT47H32M16BN-37EIT:DTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):512Mb(32M x 16);内存数据长度(bit):32M ;字编码 | |
MT47H32M16BN-3IT:DTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):512Mb(32M x 16);内存数据长度(bit):32M ;字编码 | |
MT47H64M8B6-37EIT:DTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):512Mb(64M x 8);内存数据长度(bit):64M ;字编码数 | |
MT47H32M16BN-5EIT:DTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):512Mb(32M x 16);内存数据长度(bit):32M ;字编码 | |
MT47H64M8B6-25EIT:DTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):512Mb(64M x 8);内存数据长度(bit):64M ;字编码数 | |
MT47H64M8B6-3IT:DTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器双倍数据速率 | SDRAM-DDR2存储器IC512Mb(64Mx8)并联333MHz450ps60-FB | |
MT47H64M8B6-5EIT:DTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):512Mb(64M x 8);内存数据长度(bit):64M ;字编码数 | |
MT47H32M16BN-25:DTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):512Mb(32M x 16);内存数据长度(bit):32M ;字编码 | |
MT47H128M4B6-25E:DTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器双倍数据速率 | SDRAM-DDR2存储器IC512Mb(128Mx4)并联400MHz400ps60-F | |
MT47H32M16BN-37E:DTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):512Mb(32M x 16);内存数据长度(bit):32M ;字编码 | |
MT47H32M16BN-25E:DTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):512Mb(32M x 16);内存数据长度(bit):32M ;字编码 | |
MT47H64M8B6-25E:DTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器双倍数据速率 | SDRAM-DDR2存储器IC512Mb(64Mx8)并联400MHz400ps60-FB | |
MT47H32M16BN-5E:DTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):512Mb(32M x 16);内存数据长度(bit):32M ;字编码 | |
MT47H128M4B6-3:DTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器双倍数据速率 | SDRAM-DDR2存储器IC512Mb(128Mx4)并联333MHz450ps60-F | |
MT47H64M8B6-3:DTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
动态存储器双倍数据速率 | SDRAM-DDR2存储器IC512Mb(64Mx8)并联333MHz450ps60-FB | |
MT47H64M8B6-5E:DTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):512Mb(64M x 8);内存数据长度(bit):64M ;字编码数 | |
MT45W8MW16BGX-701ITTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):128Mb(8M x 16);内存数据长度(bit):8M ;字编码数( | |
MT45W8MW16BGX-701WTTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):128Mb(8M x 16);内存数据长度(bit):8M ;字编码数( | |
MT45W4MW16PCGA-70ITTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | PSRAM(伪SRAM)存储器IC64Mb(4Mx16)并联70ns48-VFBGA(6x | |
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存储 | 存储容量(Mb):64Mb(4M x 16);内存数据长度(bit):4M ;字编码数(k | |
MT46H8M32LFB5-5IT:H | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):256Mb(8M x 32);内存数据长度(bit):8M ;字编码数( | |
MT46H8M32LFB5-5:H | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):256Mb(8M x 32);内存数据长度(bit):8M ;字编码数( | |
MT46H8M32LFB5-5IT:HTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):256Mb(8M x 32);内存数据长度(bit):8M ;字编码数( | |
MT46H16M16LFBF-6AT:H | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):256Mb(16M x 16);内存数据长度(bit):16M ;字编码 | |
MT46H16M16LFBF-5IT:HTR | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):256Mb(16M x 16);内存数据长度(bit):16M ;字编码 | |
MT46H16M16LFBF-5IT:H | MICRON | 获取价格 | ![]() |
时钟存储 | 存储容量(Mb):256Mb(16M x 16);内存数据长度(bit):16M ;字编码 |
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