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INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC (美国芯成) 更新时间：2023-07-15 00:00:00

ISSI1988年成立，专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品，用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头，如3Com,Alcatel,Cisco,Ericsson,HewlettPackard,IBM,Lexmark,Motorola,Nokia,Seagate等公司。ISSI是国际化大公司，公司总部设在美国加州SantaClara，在美国、欧洲拥有分公司，在台湾有合资企业，在中国香港设有子公司，销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品，产品都是由代工服务商代为生产，台湾的TSMC、UMC、新加坡的CharteredSemiconductor都是它的合作伙伴。

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型号	品牌	价格	文档	应用	描述

IS42VM32800D-10TLI-TR	ISSI	获取价格		动态存储器光电二极管	Synchronous DRAM, 8MX32, 8ns, CMOS, PDSO86

IS61LPS102418-250B3I	ISSI	获取价格		静态存储器	Cache SRAM, 1MX18, 2.6ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165

IS61LPD25632D-225TQI	ISSI	获取价格		静态存储器	Cache SRAM, 256KX32, 2.8ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

IS61QDPB41M18-500M3	ISSI	获取价格		静态存储器	QDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, TFBGA-165

IS42SM16160D-6TL	ISSI	获取价格		动态存储器光电二极管	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54

IS62WV2568BLL-45TLI-TR	ISSI	获取价格		静态存储器光电二极管内存集成电路	Standard SRAM, 256KX8, 45ns, CMOS, PDSO32

IS46LR32160B-6BLA1-TR	ISSI	获取价格		动态存储器双倍数据速率	DDR DRAM, 16MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90,

IS61LPD25636D-250TQ	ISSI	获取价格		静态存储器	Cache SRAM, 256KX36, 2.6ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

IS61QDPB41M36A-500M3I-TR	ISSI	获取价格		静态存储器	Standard SRAM, 1MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165

IS43DR16640-19FBL	ISSI	获取价格		动态存储器双倍数据速率	DDR DRAM, 64MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, 8 X 13.65 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-207, F

IS42VM83200D-8TLI-TR	ISSI	获取价格		动态存储器光电二极管	Synchronous DRAM, 32MX8, 6ns, CMOS, PDSO54,

IS29GL01GS10DHI023	ISSI	获取价格			Flash, 128MX8, 100ns, PBGA64, FBGA-64

IS71VPCF32FS04-8570BI	ISSI	获取价格		静态存储器内存集成电路	Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA73, 8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-73

IS43DR32800A-37CBLI	ISSI	获取价格		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路	DDR DRAM, 8MX32, 0.5ns, CMOS, PBGA126, 11 X 14 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, WBGA-126

IS61LF51218D-6.5TQI	ISSI	获取价格		时钟静态存储器内存集成电路	Cache SRAM, 512KX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

IS27C512-90CWI	ISSI	获取价格		可编程只读存储器内存集成电路	UVPROM, 64KX8, 90ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28

IS62WV1288DBLL-45TI-TR	ISSI	获取价格		静态存储器光电二极管	Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDSO32

IS64VLPS204836B-166TQ2LA3	ISSI	获取价格		静态存储器	Cache SRAM, 2MX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100

IS29GL01GS11DHIV13	ISSI	获取价格			Flash, 128MX8, 110ns, PBGA64, FBGA-64

IS61QDPB41M36A-450M3L	ISSI	获取价格		静态存储器	Standard SRAM, 1MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-1

IS64VLPS204836B-166M3A3	ISSI	获取价格		静态存储器	Cache SRAM, 2MX36, 3.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, LFBGA-165

PM39F010-55PC	ISSI	获取价格		光电二极管内存集成电路	Flash, 128KX8, 55ns, PDIP32,

IS61QDP2B42M18-300M3L	ISSI	获取价格		静态存储器	QDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TFBGA-165

IS27C010-90CW	ISSI	获取价格		可编程只读存储器	UVPROM, 128KX8, 90ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-32

IS61NVP25636A-200B2I-TR	ISSI	获取价格		时钟静态存储器内存集成电路	ZBT SRAM, 256KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA119

PM39LV020-55JC	ISSI	获取价格			Flash, 256KX8, 55ns, PQCC32,

IS43DR81280A-25DBLI	ISSI	获取价格		动态存储器双倍数据速率	DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13.65 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD F

IS61SPS25636D-166TQ	ISSI	获取价格		静态存储器	Cache SRAM, 256KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

IS61LPS25632D-166BI	ISSI	获取价格		静态存储器	Cache SRAM, 256KX32, 3.5ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119

IS61LPD51218D-250B	ISSI	获取价格		静态存储器	Cache SRAM, 512KX18, 2.6ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119