ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION 更新时间:2023-07-25 03:31:36
Alliance公司设计、生产、销售高性能存储器及存储器扩展逻辑产品,用于计算机、通讯、仪器等领域。公司1985年成立,总部设在美国加利佛尼亚州。公司的产品线包括SRAM、DRAM、快闪存储器、嵌入存储器和逻辑。SRAM:包括同步SRAM、快异步SRAM、低功耗SRAM。采用0.35-0.18微米CMOS工艺制造,最新的SRAM产品应用了六晶体管超低功率IntelliwattTM技术,几乎没有静态功率消耗。DRAM:包括EDO和同步DRAM等。嵌入存储技术:Alliance公司能够提供一系列存储器扩展逻辑产品,用于计算机、通讯、海量存储等领域。
型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
AS7C33256PFD18B-133TQCN | ALSC | 获取价格 | ![]() |
内存集成电路静态存储器 | 3.3V 256K x 18 pipeline burst synchronous SRAM | |
AS7C33256PFD18B-133TQC | ALSC | 获取价格 | ![]() |
内存集成电路静态存储器 | 3.3V 256K x 18 pipeline burst synchronous SRAM | |
AS7C33256PFD18B | ALSC | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | 3.3V 256K x 18 pipeline burst synchronous SRAM | |
AS7C33256FT18B-80TQIN | ALSC | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | 3.3V 256K x 18 Flow Through Synchronous SRAM | |
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静态存储器 | 3.3V 256K x 18 Flow Through Synchronous SRAM | |
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存储内存集成电路静态存储器时钟 | 3.3V 256K x 18 Flow Through Synchronous SRAM | |
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静态存储器 | 3.3V 256K x 18 Flow Through Synchronous SRAM | |
AS7C33256FT18B-75TQIN | ALSC | 获取价格 | ![]() |
存储内存集成电路静态存储器时钟 | 3.3V 256K x 18 Flow Through Synchronous SRAM | |
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静态存储器 | 3.3V 256K x 18 Flow Through Synchronous SRAM | |
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存储内存集成电路静态存储器时钟 | 3.3V 256K x 18 Flow Through Synchronous SRAM | |
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内存集成电路静态存储器 | 3.3V 256K x 18 Flow Through Synchronous SRAM | |
AS7C33256FT18B-65TQIN | ALSC | 获取价格 | ![]() |
存储内存集成电路静态存储器时钟 | 3.3V 256K x 18 Flow Through Synchronous SRAM | |
AS7C33256FT18B-65TQI | ALSC | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | 3.3V 256K x 18 Flow Through Synchronous SRAM | |
AS7C33256FT18B-65TQCN | ALSC | 获取价格 | ![]() |
存储内存集成电路静态存储器时钟 | 3.3V 256K x 18 Flow Through Synchronous SRAM | |
AS7C33256FT18B-65TQC | ALSC | 获取价格 | ![]() |
内存集成电路静态存储器 | 3.3V 256K x 18 Flow Through Synchronous SRAM | |
AS7C33256FT18B-10TQIN | ALSC | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | 3.3V 256K x 18 Flow Through Synchronous SRAM | |
AS7C33256FT18B-10TQI | ALSC | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | 3.3V 256K x 18 Flow Through Synchronous SRAM | |
AS7C33256FT18B-10TQCN | ALSC | 获取价格 | ![]() |
存储内存集成电路静态存储器 | 3.3V 256K x 18 Flow Through Synchronous SRAM | |
AS7C33256FT18B-10TQC | ALSC | 获取价格 | ![]() |
内存集成电路静态存储器 | 3.3V 256K x 18 Flow Through Synchronous SRAM | |
AS7C33256FT18B | ALSC | 获取价格 | ![]() |
静态存储器 | 3.3V 256K x 18 Flow Through Synchronous SRAM | |
AS4C256K16E0-50TC | ALSC | 获取价格 | ![]() |
存储内存集成电路光电二极管动态存储器 | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) | |
AS4C256K16E0-50JC | ALSC | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) | |
AS4C256K16E0-50 | ALSC | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) | |
AS4C256K16E0-35JC | ALSC | 获取价格 | ![]() |
存储内存集成电路光电二极管动态存储器 | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) | |
AS4C256K16E0-35 | ALSC | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) | |
AS4C256K16E0-30JC | ALSC | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) | |
AS4C256K16E0-30 | ALSC | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) | |
ASM3I2869A-08TR | ALSC | 获取价格 | ![]() |
Low Power Peak EMI Reducing Solution | ||
ASM3P2869A-08TR | ALSC | 获取价格 | ![]() |
晶体时钟发生器微控制器和处理器外围集成电路光电二极管 | Low Power Peak EMI Reducing Solution | |
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晶体时钟发生器微控制器和处理器外围集成电路光电二极管 | Low Power Peak EMI Reducing Solution |
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