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ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION 更新时间：2023-11-24 15:41:36

Alliance公司设计、生产、销售高性能存储器及存储器扩展逻辑产品，用于计算机、通讯、仪器等领域。公司1985年成立，总部设在美国加利佛尼亚州。公司的产品线包括SRAM、DRAM、快闪存储器、嵌入存储器和逻辑。SRAM：包括同步SRAM、快异步SRAM、低功耗SRAM。采用0.35-0.18微米CMOS工艺制造，最新的SRAM产品应用了六晶体管超低功率IntelliwattTM技术，几乎没有静态功率消耗。DRAM：包括EDO和同步DRAM等。嵌入存储技术：Alliance公司能够提供一系列存储器扩展逻辑产品，用于计算机、通讯、海量存储等领域。

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型号	品牌	价格	文档	应用	描述

ASM1816-5/T	ALSC	获取价格			Low Power 3.3V/3.0V uP Reset, Active LOW, Open-Drain Output

ASM1816-5	ALSC	获取价格		电源电路电源管理电路	Low Power 3.3V/3.0V uP Reset, Active LOW, Open-Drain Output

ASM1816-20F/T	ALSC	获取价格		电源电路电源管理电路	Low Power 3.3V/3.0V uP Reset, Active LOW, Open-Drain Output

ASM1816-20F	ALSC	获取价格		电源电路电源管理电路	Low Power 3.3V/3.0V uP Reset, Active LOW, Open-Drain Output

ASM1816-20/T	ALSC	获取价格		电源电路电源管理电路	Low Power 3.3V/3.0V uP Reset, Active LOW, Open-Drain Output

ASM1816-20	ALSC	获取价格		电源电路电源管理电路	Low Power 3.3V/3.0V uP Reset, Active LOW, Open-Drain Output

ASM1816-10F/T	ALSC	获取价格		电源电路电源管理电路	Low Power 3.3V/3.0V uP Reset, Active LOW, Open-Drain Output

ASM1816-10F	ALSC	获取价格		电源电路电源管理电路	Low Power 3.3V/3.0V uP Reset, Active LOW, Open-Drain Output

ASM1816-10/T	ALSC	获取价格		电源电路电源管理电路	Low Power 3.3V/3.0V uP Reset, Active LOW, Open-Drain Output

ASM1816-10	ALSC	获取价格		电源电路电源管理电路	Low Power 3.3V/3.0V uP Reset, Active LOW, Open-Drain Output

ASM1816R-5	ALSC	获取价格		光电二极管	Low Power 3.3V/3.0V uP Reset, Active LOW, Open-Drain Output

ASM1816R-20F	ALSC	获取价格		电源电路电源管理电路光电二极管	Low Power 3.3V/3.0V uP Reset, Active LOW, Open-Drain Output

ASM1816R-20/T	ALSC	获取价格		光电二极管	Low Power 3.3V/3.0V uP Reset, Active LOW, Open-Drain Output

ASM1816R-20	ALSC	获取价格		光电二极管	Low Power 3.3V/3.0V uP Reset, Active LOW, Open-Drain Output

AS29F040-150TC	ALSC	获取价格		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器	5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM

AS29F010-150TC	ALSC	获取价格		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器	5V 128K x 8 CMOS FLASH EEPROM

AS7C33512FT32A-10TQIN	ALSC	获取价格		存储内存集成电路静态存储器时钟	3.3V 512K x 32/36 Flow-through synchronous SRAM

AS7C25512FT32A-10TQIN	ALSC	获取价格		存储内存集成电路静态存储器时钟	2.5V 512K x 32/36 flowthrough burst synchronous SRAM

AS7C33512FT32A-10TQI	ALSC	获取价格		存储内存集成电路静态存储器时钟	3.3V 512K x 32/36 Flow-through synchronous SRAM

AS7C25512FT32A-10TQI	ALSC	获取价格		静态存储器	2.5V 512K x 32/36 flowthrough burst synchronous SRAM

AS7C33512FT32A-10TQCN	ALSC	获取价格		存储内存集成电路静态存储器时钟	3.3V 512K x 32/36 Flow-through synchronous SRAM

AS7C25512FT32A-10TQCN	ALSC	获取价格		存储内存集成电路静态存储器时钟	2.5V 512K x 32/36 flowthrough burst synchronous SRAM

AS7C33512FT32A-10TQC	ALSC	获取价格		静态存储器	3.3V 512K x 32/36 Flow-through synchronous SRAM

AS29F040-120LI	ALSC	获取价格		闪存存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器	5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM

AS29F040-120LC	ALSC	获取价格		闪存存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器	5V 512K x 8 CMOS FLASH EEPROM

AS7C1026-20BC	ALSC	获取价格		静态存储器	5V/3.3V 64Kx6 CMOS SRAM

AS7C31026-20	ALSC	获取价格		静态存储器	5V/3.3V 64Kx6 CMOS SRAM

AS7C1026-20	ALSC	获取价格		存储静态存储器	5V/3.3V 64Kx6 CMOS SRAM

AS7C31026-15TI	ALSC	获取价格		存储内存集成电路静态存储器光电二极管	5V/3.3V 64Kx6 CMOS SRAM

AS7C31026-15TC	ALSC	获取价格		静态存储器	5V/3.3V 64Kx6 CMOS SRAM