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PDH3012

更新时间： 2024-01-14 20:15:29

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5页	273K
描述
THYRISTOR MODULE 30A /1200 to 1600V

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PDH3012 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.75	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大直流栅极触发电流：	100 mA	最大直流栅极触发电压：	2.5 V
快速连接描述：	0	螺丝端子的描述：	0
JESD-30 代码：	R-XUFM-X5	通态非重复峰值电流：	600 A
元件数量：	1	端子数量：	5
最大通态电流：	30000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	47 A
断态重复峰值电压：	1200 V	重复峰值反向电压：	1200 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

PDH3012 数据手册

Electrical • Thermal Characteristics

Maximum Value.

Min. Typ. Max.

Characteristics

Peak Off-State Current

Peak Reverse Current

Peak Forward Voltage

Symbol

Test Conditions

Unit

I_DM

I_RM

V_TM

V_DM= V_DRM,Tj= 125°C

V_RM= V_RRM,Tj= 125°C

I_TM= 90A, Tj=25°C

1.50

Tj=-40°C

200

Gate Current to Trigger

Gate Voltage to Trigger

I_GT

V_D=6V,I_T=1A

Tj=25°C

Tj=125°C

Tj=-40°C

Tj=25°C

Tj=125°C

100

2.5

V_GTV_D=6V,I_T=1A

Gate Non-Trigger Voltage

Critical Rate of Rise of Off-State

Voltage

V_GDV_D=2/3V_DRMTj=125°C

dv/dt V_D=2/3V_DRMTj=125°C

I_TM=I_O,V_D=2/3V_DRM

0.25

500

V/µs

Turn-Off Time

dv/dt=20V/µs, V_R=100V

-di/dt=20A/µs, Tj=125°C

100

µs

Turn-On Time

Delay Time

Rise Time

tgt

µs

V_D=2/3V_DRMTj=125°C

I_G=200mA, di_G/dt=0.2A/µs

Latching Current

Holding Current

I_L

I_H

Tj=25°C

100

0.7

Rth(j-c) Junction to Case

Thermal Resistance

Value Per 1Arm

°C/W

Base Plate to Heat Sink

with Thermal Compound

Rth(c-f)

0.2

123 4 5

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