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P6SMBJ60CA

更新时间: 2024-09-23 20:13:07
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 236K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 60V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, PLASTIC, SMB, 2 PIN

P6SMBJ60CA 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-214AA包装说明:R-PDSO-C2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.13最大击穿电压:74 V
最小击穿电压:66.7 V击穿电压标称值:70.35 V
最大钳位电压:96.8 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-214AAJESD-30 代码:R-PDSO-C2
JESD-609代码:e2最大非重复峰值反向功率耗散:600 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-50 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:60 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

P6SMBJ60CA 数据手册

 浏览型号P6SMBJ60CA的Datasheet PDF文件第1页浏览型号P6SMBJ60CA的Datasheet PDF文件第2页 
P6 SMBJ 6,5 ... P6 SMBJ 130CA  
ꢗꢂꢅꢉꢏ 4ꢁ6 7 89$ꢐ2"**  
Fig. 1 10/1000 µs - pulse waveform  
Fig. 2 Rated power dissipation vs. amb. temp.2)  
Fig. 3 Peak pulse power versus pulse duration  
3
09-03-2007 MAM  
© by SEMIKRON  

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