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P6SMB82

更新时间： 2024-01-07 12:06:11
品牌 Logo 应用领域
TSC /
页数 文件大小 规格书
4页 69K
描述
Surface Mount Transient Voltage Suppressor

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P6SMB82 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-C2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
Factory Lead Time：16 weeks风险等级：5.61
Is Samacsys：N最大击穿电压：86.1 V
最小击穿电压：77.9 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：DO-214AAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
湿度敏感等级：1最大非重复峰值反向功率耗散：600 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性：BIDIRECTIONAL最大重复峰值反向电压：70.1 V
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

P6SMB82 数据手册

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ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25OC unless otherwise noted)  
Breakdown Voltage  
VBR  
Test  
Stand-Off  
Voltage  
Maximum  
Maximum  
Maximum  
Clamping  
Maximum  
Temperature  
Coefficient  
Reverse Leakage  
Device  
Device  
Marking  
Code  
Current  
Peak Pulse  
(Volts) (Note 1)  
WM  
PPM  
@I  
T
V
at V  
WM  
Current I  
RSM  
Voltage at I  
Min  
Max  
(mA)  
(Volts)  
ID (uA)  
(Note 2)(Amps)  
VC(Volts)  
of VBR(% / OC)  
P6SMB91  
MUJ  
MVJ  
MWJ  
MXJ  
MYJ  
MZJ  
NDJ  
NEJ  
NFJ  
NGJ  
NHJ  
NKJ  
NLJ  
NMJ  
NNJ  
NPJ  
NQJ  
NRJ  
NSJ  
NTJ  
NUJ  
NVJ  
81.9  
86.5  
90.0  
95.0  
99.0  
100.0  
95.5  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
73.7  
77.8  
81.0  
85.5  
89.2  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
4.8  
5.0  
4.3  
4.5  
3.9  
4.1  
3.6  
3.8  
3.3  
3.5  
2.9  
3.0  
2.7  
2.8  
2.5  
2.6  
2.4  
2.5  
2.1  
2.2  
1.8  
1.9  
131.0  
125.0  
144.0  
137.0  
158.0  
152.0  
173.0  
165.0  
187.0  
179.0  
215.0  
207.0  
230.0  
219.0  
244.0  
234.0  
258.0  
246.0  
287.0  
274.0  
342.0  
328.0  
0.106  
0.106  
0.106  
0.106  
0.107  
0.107  
0.107  
0.107  
0.107  
0.107  
0.108  
0.108  
0.108  
0.108  
0.108  
0.108  
0.108  
0.108  
0.108  
0.108  
0.108  
0.108  
P6SMB91A  
P6SMB100  
P6SMB100A  
P6SMB110  
P6SMB110A  
P6SMB120  
P6SMB120A  
P6SMB130  
P6SMB130A  
P6SMB150  
P6SMB150A  
P6SMB160  
P6SMB160A  
P6SMB170  
P6SMB170A  
P6SMB180  
P6SMB180A  
P6SMB200  
P6SMB200A  
P6SMB220  
P6SMB220A  
110.0  
105.0  
121.0  
116.0  
132.0  
126.0  
143.0  
137.0  
165.0  
158.0  
176.0  
168.0  
187.0  
179.0  
198.0  
189.0  
220.0  
210.0  
242.0  
231.0  
105.0  
108.0  
114.0  
117.0  
124.0  
135.0  
143.0  
144.0  
152.0  
153.0  
162.0  
162.0  
171.0  
180.0  
190.0  
198.0  
209.0  
94.0  
97.2  
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105.0  
111.0  
121.0  
128.0  
130.0  
136.0  
138.0  
145.0  
146.0  
154.0  
162.0  
171.0  
175.0  
185.0  
Notes:  
1. VBR measured after IT applied for 300us, IT=square wave pulse or equivalent.  
2. Surge current waverform per Figure 3 and derate per Figure 2.  
3. For bipolar types having VWM of 10 volts and under, the ID limit is doubled.  
4. For bidirectional use C or Ca suffix for types P6SMB6.8 through P6SMB200A.  
5. All terms and symbols are consistent with ANSI/IEEE C62.35.  
- 623 -  
1234

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