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P6SMB160ALEADFREE

更新时间： 2024-01-30 23:10:19
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 987K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 136V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMB, 2 PIN

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P6SMB160ALEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-C2
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.1其他特性：UL RECOGNIZED
最大击穿电压：168 V最小击穿电压：152 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值反向功率耗散：600 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：UNIDIRECTIONAL
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：136 V
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

P6SMB160ALEADFREE 数据手册

 浏览型号P6SMB160ALEADFREE的Datasheet PDF文件第2页浏览型号P6SMB160ALEADFREE的Datasheet PDF文件第3页 
TM  
P6SMB6.8A  
THRU  
Central  
P6SMB250A  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
UNI-DIRECTIONAL  
DESCRIPTION:  
GLASS PASSIVATED JUNCTION  
SILICON TRANSIENT  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR P6SMB6.8A Series  
types are Surface Mount Uni-Directional Glass  
Passivated Junction Transient Voltage Suppressors  
designed to protect voltage sensitive components from  
high voltage transients.  
VOLTAGE SUPPRESSOR  
600 WATTS, 6.8 THRU 250 VOLTS  
BREAKDOWN  
THIS DEVICE IS MANUFACTURED WITH A GLASS  
PASSIVATED CHIP FOR OPTIMUM RELIABILITY.  
VOLTAGE  
Note: For Bi-directional devices, please refer to the  
P6SMB6.8CA Series data sheet.  
MARKING CODE: SEE ELECTRICAL  
CHARACTERISTICS TABLE  
SMB CASE  
• This series is UL listed, UL file number E130224  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
SYMBOL  
UNITS  
W
A
Peak Power Dissipation (Note 1)  
P
600  
100  
-65 to +150  
DM  
Peak Forward Surge Current (JEDEC Method)  
Operating and Storage Junction Temperature  
I
A
FSM  
T , T  
°C  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
Maximum Maximum  
Working  
Maximum  
Reverse  
Voltage  
Maximum  
Temp.  
Reverse  
Reverse  
Surge  
Breakdown Voltage  
@ I  
Test  
Peak  
Leakage  
Current  
V
Current Reverse  
Voltage  
Coefficient  
BR  
T
Current  
(Note 1)  
Marking  
Code  
Type  
@ I  
of V  
BR  
RSM  
@ V  
RWM  
I
V
I
I
V
MIN  
(V)  
NOM  
(V)  
MAX  
(V)  
T
RWM  
(V)  
R
RSM  
RSM  
(V)  
% / °C  
(mA)  
(μA)  
(A)  
P6SMB6.8A  
P6SMB7.5A  
P6SMB8.2A  
P6SMB9.1A  
P6SMB10A  
P6SMB11A  
P6SMB12A  
P6SMB13A  
P6SMB15A  
P6SMB16A  
P6SMB18A  
P6SMB20A  
P6SMB22A  
P6SMB24A  
P6SMB27A  
P6SMB30A  
P6SMB33A  
P6SMB36A  
P6SMB39A  
6.45  
7.13  
7.79  
8.65  
9.5  
6.8  
7.5  
8.2  
9.1  
10  
11  
7.14  
7.88  
8.61  
9.55  
10.5  
11.6  
12.6  
13.7  
15.8  
16.8  
18.9  
21.0  
23.1  
25.2  
28.4  
31.5  
34.7  
37.8  
41.0  
10  
10  
5.8  
6.4  
1000  
500  
200  
50  
57  
53  
10.5  
11.3  
12.1  
13.4  
14.5  
15.6  
16.7  
18.2  
21.2  
22.5  
25.2  
27.7  
30.6  
33.2  
37.5  
41.4  
45.7  
49.9  
53.9  
0.057  
0.061  
0.065  
0.068  
0.073  
0.075  
0.078  
0.081  
0.084  
0.086  
0.088  
0.090  
0.092  
0.094  
0.096  
0.097  
0.098  
0.099  
0.100  
C6V8A  
C7V5A  
C8V2A  
C9V1A  
C10A  
C11A  
C12A  
C13A  
C15A  
C16A  
C18A  
C20A  
C22A  
C24A  
C27A  
C30A  
C33A  
C36A  
C39A  
10  
7.02  
7.78  
8.55  
9.4  
50  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
45  
10  
41  
10.5  
11.4  
12.4  
14.3  
15.2  
17.1  
19.0  
20.9  
22.8  
25.7  
28.5  
31.4  
34.2  
37.1  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
38  
12  
13  
15  
16  
18  
20  
22  
24  
27  
30  
33  
36  
39  
10.2  
11.1  
12.8  
13.6  
15.3  
17.1  
18.8  
20.5  
23.1  
25.6  
28.2  
30.8  
33.3  
36  
33  
28  
27  
24  
22  
20  
18  
16  
14.4  
13.2  
12.0  
11.2  
Notes: (1) Non-repetitive 10x1,000μs pulse.  
R4 (28-May 2009)  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
P6SMB160A-M3/52 VISHAY

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 		TVS DIODE 136V 219V DO214AA
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