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P0295WC12E

更新时间: 2024-01-01 10:58:47
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IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
25页 2736K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 600A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB, 3 PIN

P0295WC12E 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:BUTTON
包装说明:DISK BUTTON, O-CXDB-X3针数:2
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.7配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:200 mAJESD-30 代码:O-CXDB-X3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:600 A断态重复峰值电压:1200 V
重复峰值反向电压:1200 V表面贴装:YES
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UNSPECIFIED
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

P0295WC12E 数据手册

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P0295WC12F IXYS Silicon Controlled Rectifier, 600A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200A

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